12层HBM 4，成为主流

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分析表明，英伟达下一代人工智能加速器“Rubin”搭载的第六代高带宽内存（HBM4）仍将以12层堆叠结构为主。这表明，此前关于HBM堆叠层数减少会导致内存需求放缓的担忧被夸大了。

随着三星电子和SK海力士开始量产HBM4，对高附加值存储器不断增长的需求预计将支撑这两家公司的盈利增长。

10月8日，市场研究公司Counterpoint Research公布了其针对近期有关HBM产能下降传闻的内部评估结果，称“对内存需求放缓的担忧是一种误解”。评估结果显示，10月份市场对内存需求增长的信心实际上有所增强。

一些业内人士声称，英伟达要求主要的HBM供应商将堆叠层数从现有的12层减少到8层。这引发了人们的预测，即如果HBM产能下降，通用DRAM的产量将会增加，这可能会导致内存价格下降。

然而，Counterpoint Research 分析认为，大多数配备 Rubin 的产品实际上正在向 12 层配置靠拢。

这是因为在人工智能计算中，确保数据处理所需的内存带宽和容量比降低成本更为重要。该公司解释说，与人们的担忧相反，ASIC 市场上也尚未出现四层产品。

Counterpoint Research认为，如果HBM的需求保持稳定，普通DRAM的供应短缺也极有可能持续。HBM的生产所需产能是普通DRAM的三倍以上。扩大HBM产能会限制普通DRAM的供应，从而形成支撑内存价格的格局。

三星电子于10月8日公布了第三季度初步业绩报告，宣布公司实现营收195万亿韩元（约合1450亿美元），营业利润107.4万亿韩元。与去年同期相比，这两项数据分别增长了126.6%和782.5%。这是韩国本土企业季度营业利润首次突破100万亿韩元大关。

Counterpoint Research指出，尽管半导体公司业绩创历史新高，但近期并未出现盈利大幅超出预期的现象，汇率波动是主要原因。该公司解释说，由于三星电子的美元收入占比很高，美元兑韩元汇率的急剧下跌导致其以韩元计价的利润大幅下降。

Counterpoint Research 表示，“对内存需求放缓的担忧是一种误解”，并预测，“三星电子创纪录的业绩可能不会是一次性事件”。

三星HBM的逆袭

据一家全球投资银行周日发布的报告显示，三星电子有望在高带宽存储器市场超越SK海力士，这得益于其下一代HBM4业务的快速扩张。

瑞银预测，到2027年，三星将占据全球HBM位出货量的41%，略微领先于SK海力士的39%，而美光科技预计将占据20%的份额。这一预测较瑞银5月份的预测有所加快，当时瑞银预测三星将在明年与SK海力士的市场份额持平。SK海力士预计今年仍将保持市场领先地位，市场份额为48%。

三星寄希望于HBM4产能的快速扩张来弥补缺口。在周四举行的第二季度财报电话会议上，该公司表示，第三季度HBM4的收入将比上一季度增长三倍以上。三星还表示，预计下半年HBM4的收入将占其HBM总收入的60%以上。

该公司已表明其有意将其HBM市场份额提升至与在更广泛的DRAM市场中相同的水平。据Counterpoint Research的数据显示，三星在第一季度以38%的市场份额领跑全球DRAM市场，SK海力士以29%的市场份额位居第二。

一位熟悉三星的业内人士表示：“三星在HBM4认证和良率提升方面进展最快。鉴于超大规模数据中心认证的速度以及出货量的预期增长，市场发展可能基本符合瑞银的预测。”

与此同时，SK海力士正试图利用其已建立的客户关系来巩固其领先地位。在周三举行的第二季度财报电话会议上，该公司表示，已于第二季度开始批量生产并向主要客户供应HBM4，其良率和产品质量已接近其成熟的HBM3E产品。

产能也将对最终结果起到至关重要的作用。瑞银估计，SK海力士的HBM产能将从今年年底的每月23万片晶圆增至明年年底的每月27万片晶圆。

SK海力士正在加快位于忠清北道清州市的M15X工厂的生产进度，并计划于明年初启用其位于京畿道龙仁市的首座晶圆厂的洁净室。三星也在扩大其制造基地，包括加快位于京畿道平泽市园区的P5工厂的建设。

业内观察人士表示，下一阶段的高分子血脑屏障（HBM）竞争将更多地取决于制造执行力和客户认可，而不是技术领先地位。

一位业内人士表示：“三星在HBM4芯片的某些研发方面已经取得进展，并且正在快速提升产能，但产品的整体性能可能差别不大。最终，市场格局将取决于谁能确保稳定的良率和质量，同时还能维持像英伟达这样的关键客户的信任。”

（来源：编译自Businesskorea）

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