美荷两国曾同时发声，对中国独立研发的光刻机技术给予了强烈批评

2026年10月，围绕中国光刻机的国际争论再次升温。美国研究机构提出进一步限制对华供应浸没式光刻设备，荷兰则对美国试图扩大域外管辖的做法提出异议。两国都曾对中国先进半导体能力的发展表达安全关切，但公开资料并不能证明双方曾联合发布针对中国国产光刻机技术性能的批评声明。真正值得关注的是，美荷为什么持续围绕中国芯片制造能力调整政策，以及中国自主研发取得进展后，国际半导体产业的竞争规则正在发生什么变化。

这场技术较量不是突然出现的。早在2019年前后，美国便逐步加强对中国先进半导体产业的限制，荷兰阿斯麦公司的极紫外光刻设备也成为关注焦点。EUV光刻机采用13.5纳米波长光源，制造难度极高，需要精密光学、真空环境、运动控制和复杂软件共同配合。中国企业长期无法正常采购这类设备，意味着先进制程研发必须寻找其他技术路径。这也是中国持续投入国产光刻机研发的重要原因。

2022年10月，美国商务部公布新的半导体出口管制规定，限制部分先进计算芯片和制造设备流向中国。2023年3月，荷兰宣布加强先进半导体制造设备出口管理，同年9月正式实施相关许可制度。2024年9月7日，荷兰又扩大了浸没式深紫外光刻设备的许可范围，将阿斯麦部分NXT系列设备纳入本国审批体系。美国负责推动限制，荷兰掌握关键设备，两国政策逐渐形成相互配合的局面。

但荷兰的态度并不完全等同于美国。2025年1月15日，荷兰政府宣布继续扩大半导体设备出口许可范围，新增部分测量和检测技术，相关调整于4月1日实施。荷兰官方特别说明，出口许可管理不等于全面禁止出口，具体申请仍需逐项审查。这一点非常关键。美国希望尽可能限制中国先进芯片制造能力，荷兰则必须考虑本国法律、企业经营和国际供应链稳定，双方虽然存在合作，却并非没有利益分歧。

对于中国而言，外部限制带来的直接问题，就是先进生产设备的采购不确定性。光刻机不是普通工业机械，购买设备只是开始，后续还需要安装调试、软件更新、精密零件更换和长期维护。如果出口限制从新设备延伸到已经交付设备的售后服务，企业就必须考虑生产线持续运行的风险。尤其是先进芯片制造，一台关键设备停机就可能影响整条生产线的生产节奏，因此中国推进设备国产化，首先解决的是产业安全问题。

中国在光刻设备领域并非完全没有技术基础。上海微电子长期从事光刻设备研发，其公开产品资料显示，SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小投影物镜、精密运动平台和自动调焦调平技术，可用于90纳米、110纳米及280纳米相关制造工艺。这些技术参数虽然不能与国际最先进EUV设备直接相比，但说明中国已经在部分芯片制造环节形成实际设备研发能力。光刻机国产化需要逐步积累，不能只按照最高端设备是否突破来判断整个产业。

2025年12月25日，中国政府采购网公布一项步进扫描式光刻机采购结果，上海微电子以约1.1亿元的成交金额，提供一台SSC800/10设备。这是一项能够查到采购型号、供应商和金额的公开记录，比网络上没有来源的技术传闻更有参考价值。不过，采购公告并未完整披露设备的曝光波长、套刻精度、量产良率和生产效率，也没有证明其具备国际先进制程的大规模量产能力。技术评价必须依据公开参数，不能把设备采购直接等同于全面突破。

进入2026年，国产光刻机的讨论出现明显变化。3月至5月，网络上广泛传播上海微电子28纳米浸没式光刻机已经批量交付、良率达到90%至95%的消息。5月20日，《21世纪经济报道》对相关传闻进行核查，指出所谓批量交付和良率数据缺少可靠依据，部分说法与实际情况存在较大出入。这件事给行业带来一个重要提醒：国产设备研发确实值得关注，但设备样机、工程验证、客户验收和批量生产属于不同阶段，不能混为一谈。

2026年7月28日，国际媒体援引匿名知情人士消息称，中国企业已经启动国产浸没式DUV光刻设备的生产工作，相关团队正在整合技术和产业资源。与此前单纯讨论技术样机不同，这类消息开始涉及设备制造组织和产业化安排。但由于企业尚未充分公开具体生产规模、交付清单和客户验收数据，外界仍难以独立确认其商业化程度。即使国产浸没式设备取得重要进展，也需要经过实际晶圆生产检验，才能判断与国际成熟设备之间的差距。

2026年7月31日，中国政府采购网还公布了中国科学院上海微系统与信息技术研究所的晶圆光刻机采购结果。上海图双精密装备有限公司以896万元中标，设备型号为Lieth 5500iza/365nm。这里必须注意，365纳米指的是曝光光源波长，不是芯片制造节点，更不能将这台设备称为365纳米先进制程设备。这项采购说明国内科研和专用制造领域存在实际设备需求，也说明中国光刻设备市场并非只有先进逻辑芯片制造这一条发展路线。

中国光刻设备的发展方向，实际上可以分成几个层次。第一层是满足科研、封装、功率器件等领域的设备需求，第二层是提高成熟制程生产线的国产设备使用比例，第三层才是挑战高端浸没式DUV以及更复杂的EUV技术。不同层次面对的技术难度和市场规模并不相同。对于企业来说，能够稳定交付设备、降低维护成本、提高生产效率，本身就是重要进步。只有建立长期可靠的产业基础，才能支持更高难度的研发任务。

2026年5月，美国提出的《硬件技术多边协调管制法案》，成为美荷半导体政策分歧的重要节点。有关提案希望加强美国与盟友之间的出口限制协调，并将部分先进半导体设备及相关服务纳入更严格的管理范围。5月14日，路透社报道，荷兰政府对这项提案的域外管辖范围提出正式异议。荷兰担忧美国通过本国法律直接约束其他国家企业的商业活动，这可能影响阿斯麦已经签订的合同及其全球业务。

6月15日，荷兰政府在答复议会质询时进一步明确立场。荷兰支持基于国家安全风险实施出口管理，但反对美国法律对荷兰企业产生不适当的域外约束。荷兰还强调，相关美国法案当时仍处于提案阶段，是否通过以及具体条款如何变化尚未确定。这个细节说明，美荷两国并不是一个完全统一的决策主体。美国可以提出更严格的限制要求，荷兰却需要维护本国的法律自主权和企业利益。

为什么美国如此关注浸没式DUV设备？原因就在于先进芯片制造并不完全取决于是否拥有EUV。通过多重图形化技术，部分DUV设备也能够参与较先进制程的生产，只是需要增加曝光和加工步骤，带来更高的成本以及更复杂的工艺控制。对于美国而言，即使限制了EUV设备出口，中国企业仍可能利用现有DUV设备改进制造工艺。因此，美国部分政策研究人员开始主张扩大限制范围，试图进一步压缩中国先进制造能力的发展空间。

2026年10月6日前后，美国科技媒体关注到一份关于中国浸没式DUV设备存量的研究报告。报告估算，截至2026年第一季度，中国芯片制造企业累计获得约343台浸没式DUV设备，其中相当一部分来自阿斯麦。报告还指出，部分设备可以通过复杂工艺支持7纳米级芯片制造，并据此建议加强出口及维护限制。必须强调，这343台是研究机构对进口设备存量的估算，不是中国自主制造的光刻机数量，更不是官方确认的实际运行设备清单。

这份报告背后有一个值得深入分析的变化。过去，美国主要把最先进EUV设备视为需要限制的关键对象，如今部分研究人员开始将关注范围扩大到较早型号的浸没式DUV设备。这意味着限制政策可能随着中国企业工艺能力的提高而不断调整。对于中国来说，单纯依靠采购海外设备来维持先进制造能力，面临的政策风险正在增加。国产设备研发因此不只是争取市场份额，更关系到企业能否独立安排生产计划。

但限制措施并不意味着美国可以轻易控制全球半导体产业。阿斯麦的设备供应涉及欧洲、日本、美国等多个地区的技术与零部件，客户同样遍布全球。出口限制越复杂，设备企业需要承担的合规成本就越高。如果进一步限制已售设备维护，还可能引发合同争议，影响国际市场对设备供应稳定性的预期。荷兰政府2026年对美国相关提案表达异议，正说明这种政策协调存在现实边界，不能把美荷关系简单理解为美国提出要求、荷兰无条件执行。

从军事技术角度分析，芯片制造能力的战略价值远远超过消费电子领域。现代雷达需要高速处理复杂电磁信号，卫星通信设备需要高可靠性射频芯片，无人系统依赖传感器、计算单元和通信模块，电子对抗装备也需要不同类型的半导体器件。但这些系统并非全部依靠最先进制程。成熟工艺在功率控制、模拟电路、工业级芯片和部分专用设备中仍然具有重要地位。建立完整的半导体制造体系，比单纯追求某一个先进制程数字更有实际意义。

中国半导体产业还需要解决一个容易被忽视的问题，那就是设备研发与生产工艺之间的配合。光刻机的套刻精度、曝光均匀性和运行稳定性，必须与光刻胶、掩模版、刻蚀设备、检测仪器形成完整的工艺体系。即使单台设备达到预定指标，如果上下游材料和工艺无法稳定配合，也难以实现高效率生产。因此，国产光刻机真正进入市场，需要设备制造商、晶圆厂和材料企业长期协作，而不是依靠单个实验室宣布技术突破。

截至2026年10月8日，能够确认的情况是，美国仍在推动更严格的先进半导体技术限制，荷兰继续执行本国出口许可制度，同时对美国扩大域外管辖保持警惕。中国则持续推进国产光刻设备研发，并出现新的采购记录与产业化消息。至于国产浸没式DUV设备究竟达到怎样的量产水平，公开信息还不足以支持全面替代阿斯麦先进产品的判断。将技术进展讲清楚，比简单宣布已经超越国外设备更有说服力。

未来几年，光刻机竞争很可能沿着两条路线继续发展。一条是美国推动盟友加强先进设备出口管理，试图维持现有技术优势；另一条是中国通过扩大研发投入、完善产业链和增加实际应用，逐步降低对外部供应商的依赖。荷兰处在两条路线的交汇点，既需要维护与美国的安全合作，也需要保护阿斯麦的商业利益。随着中国国产设备能力提高，荷兰企业面临的市场竞争压力也可能逐步增加。

真正决定竞争结果的，不是某一次公开批评，也不是某一份研究报告，而是技术能否持续进步、设备能否稳定交付、制造成本能否下降。中国光刻机研发已经进入需要更多工程验证和产业应用的阶段，未来既要重视先进技术攻关，也要让已有设备在实际生产中不断改进。面对外部限制，保持自主研发的连续性、维护正常国际合作、建立可靠的产业配套，才是更有价值的长期选择。美荷可以调整出口规则，中国半导体产业也必须通过持续创新，争取更大的技术发展空间。