【老王看产业】1.4nm之后：先进逻辑工艺技术路线-节点名字缩到哪里

作者：老王

主要观点：

•初步结论：摩尔定律仍会延续，先进封装与三维集成将分担一部分工作。密度增长正从“单位面积”转向“单位体积”，器件微缩放缓、供电协同补位、封装与三维集成的分量持续上升；约束也从“物理极限”转向“成本极限”。

•“2nm”早已不是2纳米。节点名与栅长、金属间距的对应关系在32nm前后就已断开，2009年版ITRS取消了“技术节点”一词。今天讨论“逼近物理极限”，应看栅极间距、金属间距和成本，而不是节点名本身。

•1.4nm不是终点，而是2028–2029年的集中量产点。台积电A14定于2028年，英特尔14A计划2028年进入大规模量产，三星SF1.4推迟到2029年。imec的路线图则一直延伸到2040年代的A2（0.2nm级）。

•光刻路线出现分叉，换代明显放缓。英特尔以14A率先在量产中导入High-NA EUV，台积电到2029年仍不需要；A16推迟到2027年，三星SF1.4推迟两年，“光学微缩”和同代多版本成为常态。

•器件结构还有两次大换代，但节奏拉长。纳米片→forksheet→CFET→二维沟道是主线；imec预计CFET约2034年导入，进入A级以下后每代间隔拉长到二至四年。

•先进封装与三维集成在2027–2029年多线共振。CoWoS中介层从5.5×光罩（2026）走向14×（2028），混合键合间距从约9µm缩到4.5µm，HBM、面板/玻璃载体与光电共封集中落地；单封装BGA焊球数（估算）2026→2030年约翻一倍。

一、“2nm”不是2纳米：从ITRS取消“技术节点”说起

讨论“2nm逼近物理极限”之前，需要先厘清一个口径问题：今天的节点名称，已经不对应芯片上任何一个物理尺寸。这一点，行业路线图组织在十几年前就已正式承认。

（一）节点名曾经是真实尺寸

在早期，节点名与器件尺寸基本一致。0.5μm、0.35μm工艺的金属半节距和栅长大体相等，节点名就是这两个尺寸。ITRS的传统定义，是工艺允许的接触型第一层金属（M1）的最小半节距（WikiChip）。

（二）脱钩：先是栅长跑得太快，后是栅长不再缩

脱钩分两个阶段，方向恰好相反。

第一阶段是栅长缩得比节点名更快。从1990年代中后期起，处理器厂商为提高主频，激进地缩小栅长，而业界仍沿用旧的命名习惯（3D InCites）。到英特尔2005年的“65nm”工艺，栅长约32nm，M1半节距却约为105nm，三个数字已互不相干（SemiEngineering）。

第二阶段是栅长几乎停止缩小。32nm节点之后，栅长继续缩小的收益变差，甚至反而有所增加，而其他尺寸仍在缩小（WikiChip）。厂商转而通过缩小金属间距和栅极间距来提高密度，节点名与栅长的关联被进一步稀释。

（三）2009年：ITRS取消“技术节点”

在这一背景下，2009年版ITRS取消了“技术节点”一词的相关表述（Design & Reuse）。实际上，在此前的2007年定义中，ITRS已不再给出单一产品的“节点”标识，而是分别跟踪DRAM半节距、MPU/ASIC的M1半节距、闪存多晶硅半节距与栅长等具体指标（STRJ，ITRS 2008概要）。

换言之，路线图组织从此只追踪可测量的尺寸，不再为“节点”背书。14/10/7nm这些名称，只是一代工艺的商业名称，与栅长、金属间距或栅极间距都无对应关系（Design & Reuse）。节点名之所以仍按约0.7倍递减，是因为每代要实现密度翻倍，接触栅极间距（CPP）和最小金属间距（MMP）各需缩小约0.7倍——名称成了摩尔定律的“自我实现”（WikiChip）。图1展示了这两个尺寸在标准单元中的位置。

图1　标准单元中的接触栅极间距（CPP）、金属间距（MP）与单元高度

（四）替代方案：用间距和层数说话

ITRS之后，IEEE的IRDS于2017年接替其职能（HPCwire）。IRDS主席Paolo Gargini提出用三项指标替代节点名：接触栅极间距（G）、金属间距（M）和器件层数（T）。按这一记法，“5nm”芯片约为G48M36T1，即栅极间距48nm、金属间距36nm、单层器件（IEEE Spectrum）。imec的最新路线图也在每个节点旁标注CPP与单元高度，最小金属间距从N2的约22nm缩至A3的12–16nm（Always Be Curious）。

表1　节点名与实际关键尺寸

由此看，“2nm已逼近物理极限”的说法并不准确。真正逼近极限的，是栅极间距受制造波动和静电控制的约束，以及金属间距受电阻、电容和可靠性的约束。T（层数）这一项被写进新指标，本身就说明了行业对下一阶段的判断：平面微缩之后，增长主要来自向上堆叠。

二、台积电：不急上High-NA，两条产品线加“光学微缩”

台积电的策略可以概括为“稳节奏、分场景、慢换设备”。2026年4月北美技术论坛公布的路线图一直延伸到2029年，核心是A14的两个衍生工艺A13和A12，以及2nm的延伸版N2U（GIGAZINE）。

第一，按应用拆成两条产品线。N2、N2P、N2U、A14、A13面向手机和终端，优先考虑成本、能效、IP复用与设计兼容性；A16与A12面向数据中心，带背面供电（TrendForce）。A16采用名为Super Power Rail（SPR）的背面供电，基于第一代纳米片GAA；A12于2029年接替A16，作为数据中心级的完整一代升级。背面供电的原理见图2。

图2　传统正面供电与背面供电结构对比（示意）

第二，A14是第二代纳米片，2028年量产。按台积电高管的说法，A14是其第二代纳米片技术；A13与A12都在A14基础上做了显著的几何微缩，均计划2029年量产（Tom’s Hardware）。

第三，用“光学微缩”换取低成本的密度提升。A13是A14的光学缩版，线性尺寸缩小约3%，晶体管密度提高约6%，同时完全兼容A14的设计规则与电气特性（TrendForce）。6%的密度增益不大，但客户几乎无需重新设计，这是“节点换代”向“同代迭代”转变的典型做法。

第四，到2029年不用High-NA EUV。A13与A12预计都不需要High-NA光刻机（TrendForce）。这与英特尔、三星的选择形成对照。

值得注意的是，A16的量产时间已从2026年推迟到2027年（TrendForce）。在器件之外，台积电把3D堆叠当作另一条增长曲线：A14-to-A14 SoIC计划2029年量产，芯片间I/O密度是N2-on-N2 SoIC的1.8倍（EE Times Asia）。混合键合与传统微凸块的区别见图3。

图3　微凸块堆叠与混合键合（SoIC）结构对比（示意）

三、英特尔：押注High-NA，14A成败系于外部客户

英特尔的路线最激进，风险也最集中：技术上率先导入High-NA，商业上必须拿到外部客户。

技术路线。18A于2025年底进入大规模量产，是英特尔目前最先进的节点；下一代14A被设计为业内首个在逻辑量产中使用High-NA EUV的工艺，也是英特尔第一个从立项之初就面向外部客户设计的节点（英特尔2026年报）。按英特尔晶圆代工的材料，14A同时包含High-NA EUV、改进的RibbonFET、背面供电和Turbo Cells（AnySilicon）。更远的10A和7A已经启动研发，预计将沿用14A首次引入的High-NA设备（Tom’s Hardware）。

时间表。2026年二季度，英特尔决定全面投入2028年的量产爬坡；内部产品的风险试产仍按计划在2027年下半年进行（Benzinga）。

商业约束。这是14A真正的分水岭。2025年起，英特尔多次表示，如果拿不到重要外部客户、达不到关键客户里程碑，14A及后续节点将不再经济（TechSpot）。截至目前尚无客户公开承诺，Piper Sandler认为英特尔需要在2026年底或2027年初签下锚定客户。但9月的口风明显转暖：CFO表示，客户讨论已从评估工艺转向能提供多少产能，公司对拿下14A外部客户有了“把握”（Bits&Chips）。

需要同时看到的是，High-NA的导入不只是一台新光刻机，还意味着新的光刻胶、掩模、保护膜、量测工具、设计规则和计算光刻流程（Tom’s Hardware）。对英特尔而言，14A是设备风险与商业风险叠加的一代。

四、三星：放慢节点，先稳良率

三星是三家中调整幅度最大的一家，路线从“抢纳米数”转向“拼稳定性”。

1.4nm推迟两年。三星把SF1.4从2027年推迟到2029年，未来几年集中打磨2nm系列SF2、SF2P、SF2X、SF2A、SF2Z，其中包括带背面供电的版本；首个1nm级工艺SF1A定在2030年前后（Guru3D）。第二代SF1.4+已启动开发，计划2030年量产（TweakTown）。

同代迭代。三星在SAFE论坛上推出2nm的第三个版本SF2P+，同样采用光学微缩，并把推迟1.4nm定性为“战略决定而非挫折”（Digit）。据The Bell报道，推迟的原因是把重心转向SF2与SF2P的良率稳定和工艺优化（TrendForce）。

High-NA的口径不一。The Bell报道称，三星将从1.4nm起在部分层使用High-NA EUV（TrendForce）；而三星在2026年下一代光刻与图形化会议上的路线图则显示，目前不计划在2nm和1.4nm量产中使用High-NA，High-NA指向1nm级节点（Guru3D）。两种说法尚待三星正式澄清，本文按“1.4nm部分层或1nm级起导入”的区间理解。

五、研究机构与学术界：结构还有两次换代，但节奏明显放慢

与厂商路线图相比，研究机构看得更远，结论也更一致：摩尔定律不会终止，但推动它的不再是单一的平面微缩。imec CEO的表述是，摩尔定律不会停，但会由多种方法共同推动（Passive Components）。

（一）imec：纳米片→forksheet→CFET→二维沟道

imec的最新逻辑路线图把纳米片时代延伸到A10，以外壁式forksheet过渡，从A7起转入CFET（imec）。CFET把N型与P型晶体管上下堆叠，在纳米片基础上带来约1.6–1.8倍的密度增益（Wccftech）。从平面晶体管到二维沟道，各代结构的差异见图4。

图4　晶体管结构演进：平面MOSFET→FinFET→纳米片GAA→Forksheet→CFET→二维沟道（示意）

时间表比几年前明显保守。2022年时，imec还预计A7在2030年前后到来（Profesional Review）；最新版本则把A7推至约2034年，A5约2036年，A3约2040年，二维沟道器件约2043年首次用于A2节点，2046年进入A2以下（Wccftech）。互连也要同步换代：1nm及以下节点将转向半大马士革或减法金属化工艺。

图5imec逻辑器件路线图：纳米片→CFET→二维沟道（2026–2046）

从图中可以看到，纳米片时代还有约八年，而进入A级以下之后，每一代的间隔拉长到二至四年。

（二）IRDS：从“等效微缩”进入“3D功率微缩”

IRDS把芯片微缩划分为三个时代：几何微缩（1975–2002）、等效微缩（2003–2024）和3D功率微缩（2025–2040），并配合异构集成（Gargini，IRDS）。背后的逻辑是：当接触栅极间距因制造波动和静电控制达到极限，二维密度微缩就会停止；即使新型晶体管突破了这一点，互连线的电阻、电容和可靠性问题也会限制布线密度，3D集成因此被视为延续微缩的主要路径（USPTO专利说明）。

图6IRDS划分的三个微缩时代

（三）二维材料：中国高校进展突出，但距量产仍远

二维半导体只有几个原子厚，被视为CFET之后的沟道材料候选。中国高校在这一方向上的成果较为集中：

•复旦大学：用5900个二硫化钼（MoS₂）晶体管做出32位RISC-V处理器“无极”，2025年4月发表于《自然》；团队认为其器件水平与2022年版IRDS目标相符（Semiconductor Today）。但该芯片在1kHz时钟下运行，功耗0.43mW，与商用逻辑仍差多个数量级。

•北京大学：用硒氧化铋（Bi₂O₂Se）做出晶圆级多层堆叠的二维GAA晶体管，团队称其速度与能效优于英特尔和台积电的最新硅基设计，并把这条路线称为“换道”而非“抄近路”（Tom’s Hardware）。

也有观点指出，二维GAA晶体管能否成为未来主流制造方向仍不确定（TrendForce）。从实验室器件到量产工艺，需要解决晶圆级材料生长、接触电阻、良率与可靠性等一系列问题；按imec的时间表，这一过程以“十年”计。

六、路线图汇总：2028–2029年多线交汇

把三家厂商的量产路线与imec的研究路线图画在同一张曲线图上（图7），可以看到两段明显不同的斜率。2022–2030年，厂商从3nm推进到1nm级，节点名平均每两到三年前进一档，且三家曲线高度贴合；2030年之后，路线图只剩imec一条线，从A7到A2跨越近十年，每一代间隔拉长到二至四年，背后是晶体管结构从纳米片向CFET、再向二维沟道的切换。

图7　先进逻辑工艺技术路线曲线图：台积电、英特尔、三星与imec（2022–2046）

注：节点名称为各公司商业名称，纵轴位置仅示代际，不代表物理尺寸，也不可在厂商之间直接比较密度。台积电N3、三星SF3（3nm GAA）2022年量产与英特尔Intel 4 2023年量产为已公开的历史节点；imec 2030年后的时间点取自其最新逻辑器件路线图。

再看2025–2030年的细节：1.4nm级工艺集中在2028–2029年量产，而High-NA EUV只在英特尔一侧明确落地（图8）。

图8　台积电、英特尔、三星先进逻辑工艺量产时间表（2025–2030）

注：英特尔10A、7A已启动研发，尚无公开量产时间；三星SF1.4是否使用High-NA存在报道分歧，图中按“常规EUV或口径未定”处理。

表2　三大厂1.4nm级工艺对比

七、先进封装与三维集成：2027–2029年多线共振

当平面微缩每一步都更难、更贵，算力增长的一部分正转移到封装层面。AI把封装从“后道工序”变成了算力主战场：一颗AI加速器的性能，越来越取决于一个封装里能放下多少颗计算芯片和HBM、彼此之间的互连有多密。

（一）四类主要结构

目前的先进封装可以归为四类结构（图9）。2.5D大中介层把逻辑芯片与HBM并排放在硅中介层上，经微凸块互连，量产微凸块间距约40µm（Chip Scale Review）；3D混合键合以铜-铜直接键合取代焊料凸块，间距可做到10µm以下（Onto Innovation）；HBM通过TSV把多层DRAM垂直堆叠在基底逻辑芯片上；光电共封（CPO）把光引擎放进封装，缩短电互连距离。

图9　先进封装与三维集成的四类主要结构（示意）

（二）路线图：规模、密度、载体与光互连同步推进

第一，中介层面积两年约2.5倍。台积电5.5×光罩的CoWoS已量产，良率超过98%；14×光罩版本计划2028年量产，可集成约20颗HBM，2029年超过14×光罩、最多24颗HBM（TrendForce）。晶圆级的SoW则超过40×光罩，可集成最多64颗HBM和16个CoWoS模块。英特尔的EMIB-T路线是今年超过8×光罩、2028年超过12×（TrendForce），Foveros-B与Foveros-R目标2027年大规模量产（英特尔2026年报）。

第二，互连密度跨越式提升。据台积电口径，SoIC的互连密度约为2015年代CoWoS的56倍、能效为5倍（TrendForce）；混合键合间距预计从约9µm（2025）缩到6µm（2026）、4.5µm（2029），A14-to-A14 SoIC计划2029年量产，芯片间I/O密度较N2-on-N2提升1.8倍（EE Times Asia）。

第三，载体与光互连换代。CoPoS（面板级）预计2027年试产、2028年下半年量产；玻璃基板首家量产已推迟到2027年。台积电COUPE共封光学2026年量产，相比可插拔光模块能效提升一倍、延迟降至十分之一（GIGAZINE），CPO交换机预计2027–2028年规模放量。

图10　先进封装与三维集成路线图（2025–2030）

注：混合键合间距、HBM键合路线、CoPoS与玻璃基板时点取自作者整理的《全球先进封装技术路线图（2026）》，原始来源为台积电技术论坛、SK海力士Hot Chips 2026、TrendForce与Yole，部分为机构估计；HBM5约2029–2030年。

（三）互连与引脚：从片间到板级同步膨胀

封装放大的直接结果，是各层级的互连数量同步膨胀。片间层面，HBM4把单颗位宽从HBM3/3E的1024位翻倍到2048位（JEDEC JESD270-4）；板级层面，封装底部的BGA焊球数随基板尺寸放大。

厂商并未公开单颗芯片的BGA焊球数。公开资料给出的区间是：AI GPU封装通常有5,000至15,000颗以上焊球，球距0.65–0.8mm，H100 SXM5封装约66mm见方（NextPCB）。本文据此按“（基板边长÷球距）²”做满阵列上限估算，基板尺寸取Ibiden路线图：2026年90mm、2028年110mm、2030年130mm以上（Tom’s Hardware）。H100级的估算值约6,800–10,300颗，落在公开区间之内，可作旁证（图11）。

图11　单封装BGA焊球数估算（满阵列上限，千颗）

表3　先进封装互连与引脚指标

（四）瓶颈与分歧

基板是最先吃紧的一环。Ibiden路线图的积层结构从2026年的10-X-10增至2028年的12-X-12、2030年起的14-X-14；有机基板超过约120mm后平整度难以保证，玻璃芯被视为后续方向（Tom’s Hardware）。多方测算ABF供需缺口2026年下半年约10%，2027年约21%，2028年可能超过40%（据Tom’s Hardware整理）。

HBM键合路线存在分歧。SK海力士在Hot Chips 2026上表示HBM4E不用混合键合、全面导入推至HBM5；三星此前的路线图则称最早在HBM4E导入混合键合（36氪）。这一分歧决定了TCB键合机与混合键合设备的需求节奏，值得持续跟踪。

八、初步结论：摩尔定律仍会延续，先进封装与三维集成分担一部分工作

综合三大厂、研究机构与封装路线图，本文的初步结论是：摩尔定律仍会延续，但推动它的不再是单一的平面微缩。imec CEO的判断是，摩尔定律不会停，但会由多种方法共同推动（Passive Components）；IRDS则把2025–2040年定义为“3D功率微缩”时代。密度增长正从“单位面积”转向“单位体积”，三股力量分工接力（图12）。

图12　摩尔定律延续的三根支柱（示意）

第一，器件微缩继续，但变慢。“物理极限”需要换一种问法：节点名自2009年起已不再被路线图组织背书，真正受限的是栅极间距和金属间距。按imec的预计，最小金属间距从N2的约22nm缩到A3的12–16nm，还有一段距离可走；但CFET的导入已从“2030年前后”推迟到“2034年前后”，进入A级以下后每代间隔拉长到二至四年。

第二，供电与设计协同补位。2028–2029年三家同时进入第二代纳米片与背面供电，但在光刻上分道扬镳。2030年前的密度提升，将更多来自同代迭代、背面供电和设计-工艺协同优化（DTCO），单代增益会进一步变小。这一轮的胜负，更可能取决于良率与成本，而不是谁先换设备。

第三，先进封装与三维集成的分量上升。中介层两年约2.5倍、混合键合间距四年减半、HBM位宽翻倍、BGA焊球数约四年翻倍，指向的是同一个方向：单个封装正在替代单颗芯片，成为算力的基本单元。对半导体产业链而言，混合键合设备、ABF与玻璃基板、量测检测的重要性，会随先进制程的放缓而上升。

第四，二维材料是2040年代的选项，而不是2030年代的答案。中国高校在这一方向上已有《自然》级成果，可视为一条“换道”的长期储备；但从千赫兹级演示芯片到商用逻辑，中间隔着材料、接触、良率和整套设备生态。

后续值得持续跟踪的指标如下：