北京
国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“硅通孔的制备方法”的专利，公开号CN122872102A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种硅通孔的制备方法，先刻蚀边缘区域的部分厚度的硬掩膜层以形成凹槽；形成图形化的第二光刻胶层，图形化的第二光刻胶层填满凹槽，并延伸覆盖边缘区域的硬掩膜层和中心区域的部分硬掩膜层；以图形化的第二光刻胶层为掩膜，依次刻蚀中心区域暴露的硬掩膜层和衬底以形成硅通孔。由于图形化的第二光刻胶层填满凹槽，故增大了图形化的第二光刻胶层与硬掩膜层之间的接触面积，由此可以起到降低单位面积压强的作用，并降低了图形化的第二光刻胶层的表面应力，进而避免在后续的硅通孔刻蚀过程中出现图形化的第二光刻胶层裂纹的问题。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目89次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息679条，此外企业还拥有行政许可211个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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