北京
国家知识产权局信息显示，四川广义微电子股份有限公司申请一项名为“一种用于湿法刻蚀工艺的对位标记、优化方法及装置”的专利，公开号CN122872134A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及湿法刻蚀领域，具体涉及一种用于湿法刻蚀工艺的对位标记、优化方法及装置。包括具有对位标记图形的待刻蚀膜层，所述对位标记图形在扫描方向上具有预设宽度，所述预设宽度等于对位机台的标准识别宽度与两倍单边侧向腐蚀量之和，所述单边侧向腐蚀量根据所述待刻蚀膜层的厚度值与湿法刻蚀的过刻蚀比例计算得出。使刻蚀后残留的顶部区域形成可供对位系统有效识别并接收衍射信号的标准反射结构，使得后续光刻层可有效识别对位标记，提高生产良率。
天眼查资料显示，四川广义微电子股份有限公司，成立于2014年，位于遂宁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25550.78万人民币。通过天眼查大数据分析，四川广义微电子股份有限公司参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可241个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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