北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN122871626A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，一种半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。于基板中形成字线沟槽。于该字线沟槽的底部形成第一金属层作为高功函数层。于该字线沟槽内且位于该第一金属层上形成多晶硅层。于该字线沟槽内且位于该多晶硅层上形成第二金属层，其中该多晶硅层与该第二金属层共同作为低功函数层。本发明所揭露的双功函数字线是一种用于微缩存储器元件中的先进整合方案，以最佳化电性表现与漏电控制。双功函数工艺的主要优点在于其能平衡彼此竞争的元件需求。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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