能效超3nm！华为麒麟9050 Pro核心显微照曝光：罕见9核CPU设计、双die上下堆叠

Kurnal Insights最新公布了华为麒麟9050 Pro的Die Shots，一起来看看，华为到底是如何采用逻辑折叠（LogicFolding）设计这款芯片的。

此次公布的Die Shots有两张，第一张是Logic die，另一张则是SRAMdie。处理器采用Logic+SRAM双die叠(Logic folding)，两颗die均为11.13x10.84 mm，上下垂直对齐。

SRAM die是专门定制的 “缓存层”，所有片上缓存、高速接口物理层均集中于此，堆叠后与逻辑裸片的对应核心上下正对，通过垂直键合互连实现数据传输。

一、基础规格总览

芯片型号：海思 Hi36E0（麒麟 9050）

架构方案：Logic Die+SRAM Die双die垂直堆叠（逻辑折叠架构）

单die尺寸：11.13mm × 10.84mm，单die面积约120.65mm²

总芯片面积：241.3mm²（两颗同规格裸片堆叠）

Logic Die（逻辑裸片），承载全部计算、接口、基带等功能逻辑电路

SRAM Die（存储裸片），专门集成各级缓存、高速接口物理层等存储单元

Logic Die

SRAM Die

Logic Die详解：

1、CPU集群：灵犀LinXi架构

——1颗LinXi-Big超大核（3.1GHz），位于芯片中上区域。

——LinXi-Mid中核：2颗性能核（2.7GHz）芯片右上区域，超大核右侧，上下纵向排列；4颗能效核（2.2GHz），芯片左中部，GPU正下方，分上下两排、每排2颗。

——2颗Small CPU小核，位于中部偏右，LinXi-Mid中核下方，负责轻负载与待机场景。

这是华为针对场景优化的四级异构9核架构，物理核心总数为 1+2+4+2=9颗，比行业主流的8核手机SOC（普遍采用三级异构架构：超大核+性能核+能效核）多了一个核心性能档位。

1颗超大核+ 2颗性能大核：对应重载场景，负责应用冷启动、大文件加载、游戏运行等峰值性能需求；

4颗能效大核：对应多任务场景，承接界面交互、悬浮窗、视频通话、分屏多开等中高负载，是日常使用的主力档位；

2颗小核：对应日常轻负载，负责刷资讯、短视频、待机等低负载场景，极致压低功耗。

这套设计的核心思路是把 “中负载多任务” 这个最高频的日常场景单独拆成一个核心档位，避免传统架构里 大核性能过剩浪费、小核性能够不上卡顿，在性能和功耗之间做更精细的平衡。

CPU配套辅助单元：

SLC系统级缓存控制器：共4组，分散部署在各 CPU 集群旁，就近提供数据缓存调度，大幅降低访存延迟；

分布式 PLL（锁相环）：每个核心集群旁均配置独立PLL，分别生成对应主频的时钟信号，支持独立调频、关断，是芯片功耗控制的核心底层单元。

2、GPU：马良（Maleoon） 955

——共6个GPU核心逻辑单元，分两排排布在左上区域，主频1056MHz。核心旁集成专属算术逻辑单元（ALUs）

3、NPU：Davinci达芬奇

——4颗独立NPU核心，集中在中下部区域，负责端侧AI算力。

4、影像与显示系统

——Kirin ISP影像处理器**：位于芯片右侧，集成第十代双 ISP（Dual ISP），负责高像素拍照、高规格视频录制的实时影像处理。

——DSP/Display 模块，位于左下角，负责音频与显示输出。

5、通信与外围系统

——Balong 5G基带，位于右下角，华为自研巴龙集成5G调制解调器，支持全制式5G通信，是麒麟系列的传统优势模块；

——内存控制器：共4组，沿芯片左右两侧边缘分布式布置，分别对应不同功能模块，缩短访存路径，降低多模块并行运行时的延迟；

——IO控制器与缓冲：位于芯片顶部右侧，负责全芯片的输入输出管理与数据缓冲调度。

芯硬件注：麒麟9050 Pro采用两颗尺寸完全一致的裸片键合而成，一颗专门负责计算，另一颗集成高速缓存（SRAM）。简单理解的话，逻辑折叠技术就是在单芯片内将逻辑单元分层排布，好比从平层升级为复式，内部增设垂直互联通道，加装“电梯”，让信号传输路径更短、时延更低、性能更好，从而实现有限工艺下的更强等效性能。

这次公布的内核显微照片显示，计算裸片与SRAM裸片通过逻辑折叠技术实现键合，将逻辑电路垂直堆叠。

即便受限于工艺制程，单条电路的晶体管密度有限，也能大幅提升整体计算密度。

这种设计还能缩短信号路径，借助微米级细间距垂直互连技术，让上下两层独立的裸片在功能上等效于一颗完整的单片芯片。

逻辑折叠的另外一个好处就是进一步缩小了麒麟9050 Pro整颗芯片的面积，两颗裸片尺寸均为11.13 毫米×10.84 毫米，单颗面积120.65平方毫米，甚至小于麒麟9030S的122平方毫米。

此前有消息指出，麒麟9050 Pro的计算裸片采用N+3工艺制程制造，SRAM裸片则采用N+2工艺。通过双层堆叠，芯片的等效平面晶体管密度约为238 MTr/mm² ，也就是2.38 亿个/平方毫米。

对比上代麒麟9030 Pro，麒麟9050 Pro的晶体管密度提升了53.5%，这个密度水平已经对标Intel 18A工艺，接近初代台积电3nm。

由于麒麟9050 Pro单颗裸片的面积更小，分析认为其单die良率应高于麒麟9030 Pro。不过华为Mate 90系列中，仅Pro Max、Pro Max典藏版和RS非凡大师三个版本搭载麒麟9050 Pro芯片，其整体封装良率可能仍有提升空间。

另外，极客湾的测试成绩显示，华为麒麟9050 Pro（Mate 90 Pro Max）在CPU、GPU能效方面，甚至优于3nm的谷歌Tensor G6（Pixel 11 Pro XL）。

CPU能效，Geekbench 7多核

横轴为主板功耗（W），纵轴为多核跑分，两者均搭载LPDDR5X内存。

低功耗段（2~6W）：两条曲线几乎重合，同功耗下多核得分差距极小，代表日常轻负载（刷资讯、社交软件）场景下，两颗芯片的 CPU 能效表现接近。

中高功耗段（6W以上）：麒麟 9050 Pro的曲线逐步偏离并处于Tensor G6的左上方，能效优势开始显现。

在10~12W的高负载区间，麒麟9050 Pro多核得分突破8000分，Tensor G6约为7600分，同性能下麒麟的功耗更低，高负载多任务场景的发热控制更优。

GPU能效，3DMark Steel Nomad Light

测试标准为苹果 Metal、安卓 Vulkan 接口，反映图形渲染的能效水平。

低功耗段（0~4W）：两条曲线走势接近，在4W功耗附近出现交汇，轻负载图形场景下两者能效基本持平。

中高功耗段（4W以上）：麒麟 9050 Pro的红色曲线持续处于左上方，能效优势随功耗提升持续扩大。高负载下，麒麟9050 Pro在8W左右即可达到接近1400分的图形性能；Tensor G6在同等得分下功耗更高，峰值性能也更低。

这意味着在游戏、重度图形渲染场景下，麒麟9050 Pro的GPU能效优势更明显，同画质下发热更低、续航更长。