北京
国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“一种去除多层复合膜沟槽底部多晶硅空洞的方法”的专利，公开号CN122871649A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及一种去除多层复合膜沟槽底部多晶硅空洞的方法。包括：在形成有高深宽比沟槽结构的半导体衬底上，沉积第一层多晶硅薄膜，填充沟槽的侧壁与底部；对沉积后的所述多晶硅薄膜进行受控高温退火处理，使多晶硅晶粒在高温驱动下提前完成重组，晶界处的微孔与空腔在应力作用下沿晶界向表面迁移并释放；去除退火过程中在多晶硅表面形成的薄氧化层，同步去除表面晶格尖峰与粗糙凸起；在平整后的多晶硅表面依次沉积二氧化硅‑氮化硅‑二氧化硅复合介质层与上层多晶硅层，形成完整的沟槽电容多层复合膜结构。该方法解决现有高深宽比沟槽多晶硅填充底部空洞的问题，大幅提升沟槽电容的耐压性能与可靠性。
天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司参与招投标项目71次，专利信息165条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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