北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“氢离子注入方法、氢离子注入系统及绝缘体上硅晶圆”的专利，公开号CN122872096A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本公开提供一种氢离子注入方法、氢离子注入系统及绝缘体上硅晶圆。氢离子注入方法包括：获取当前氢离子注入功率，并确定与当前氢离子注入功率对应的标定温差；根据标定温差确定温差阈值；分别对多个承载于静电卡盘的硅片进行氢离子注入；获取静电卡盘冷却回路的冷却水进水温度和冷却水出水温度，并根据冷却水出水温度与冷却水进水温度之差确定实时温差；将实时温差与温差阈值进行比较；在实时温差大于温差阈值的情况下，增大静电卡盘冷却回路中的冷却水流量。由此，能够提高连续氢离子注入过程中不同硅片之间冷却状态的一致性，进而降低微腔结构出现非预期缺陷或者发生热诱导提前分裂的风险。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目13次，专利信息1668条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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