北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122872109A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供半导体结构，其包括基板、介电层、多个导电栓塞以及至少一虚拟栓塞。基板包括周边区。介电层设置在基板上。多个导电栓塞设置在周边区中且贯穿介电层。至少一虚拟栓塞设置在周边区中且浮置在介电层中。此设计可避免在平坦化过程中产生过度抛光而导致的凹陷问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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