北京
集邦咨询综合digitaltoday等多家媒体报道，称受HBM4基片4nm工艺需求增长，三星电子晶圆代工与系统级芯片（System LSI）业务2026年合并营业亏损同比收窄42%。
HBM4采用多颗DRAM芯片垂直堆叠架构，底层基片负责信号控制与数据调度，主要服务于AI加速器、GPU等高算力芯片，提供远超传统GDDR的带宽与能效。
而HBM4堆叠结构中最底层的逻辑芯片base die采用4nm工艺，伴随着市场需求快速增长，三星正在加快相关产能爬坡。三星于今年2月启动HBM4量产出货，5月向客户送样HBM4E，第三季度HBM4收入预计环比增长三倍以上。
报道称HBM4占三星HBM总收入比例预计下半年超过60%，且基片产量随之攀升，直接拉动晶圆代工收入。
HBM4基片与先进节点订单需求强劲，三星无需再为提升产能利用率而接受低价合同。7月三星上调4nm新订单价格，部分先进节点价格涨幅达10%至15%。
外部订单方面，三星7月与博通（Broadcom）签署谅解备忘录，计划2030年前合作规模超过2,000亿美元（现汇率约合1.34万亿元人民币），涵盖HBM4/HBM4E供应及2nm以下制程与先进封装。第二季度已获大型云服务提供商及AI、HPC客户2nm项目，客户启动产品设计。
Kiwoom证券的数据称，三星晶圆代工和系统级芯片业务的合并营业亏损预计将同比收窄41.8%，从去年的6.74万亿韩元（现汇率约合334.17亿元人民币）降至今年的3.92万亿韩元（现汇率约合194.35亿元人民币）。
本文源自：IT之家
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