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国家知识产权局信息显示，复旦大学、上海复矽源半导体科技有限公司申请一项名为“激光等离子体放电腔装置及等离子体产生和维持方法”的专利，公开号CN122846576A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及等离子体光源技术领域，特别涉及激光等离子体放电腔装置及等离子体产生和维持方法。装置包括：放电腔体，设有电极安装通孔，内部用于容纳工作气体；以及可移动电极装置，经由电极安装通孔设置于放电腔体，可移动电极装置包括电极、绝缘导向套管、限位机构和密封组件；其中，电极可在插入位置与撤出位置之间移动；在插入位置，电极至少部分伸入放电腔体内部，并用于放电击穿工作气体以产生初始等离子体；在撤出位置，电极完全退出放电腔体；绝缘导向套管设置于电极安装通孔处并套设于电极外侧，用于对电极进行径向定位、运动导向和高压绝缘；限位机构用于限定电极的点火位置；密封组件用于在电极处于撤出位置后密封电极安装通孔。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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