北京
分享至
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“刻蚀方法”的专利，公开号CN122847055A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种刻蚀方法，属于半导体技术领域。所述刻蚀方法包括：在晶圆的表面上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光；对所述光刻胶层进行第二阶段的显影，使得所述第一初始掩膜窗口朝向所述第一光刻胶层延伸，得到具有深度不同的掩膜窗口的光刻胶掩膜；在所述光刻胶掩膜的掩盖下，对所述晶圆进行干法刻蚀，在所述晶圆中形成与所述掩膜窗口一一对应的多个刻蚀区域。本公开可以消除套刻误差、简化工艺流程。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本250000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目100次，专利信息651条，此外企业还拥有行政许可52个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
