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三大存储巨头持续将产能重心转向HBM与服务器DRAM,带动移动端低功耗DRAM(LPDDR)、PC及通用服务器DDR内存价格上行。以PC端常用的DDR4 8Gb通用DRAM为例,2026年8月平均合约价同比大涨338.6%。借本轮存储行情,长鑫存储持续扩大投资签约规模与研发投入。
数据显示,截至2026年6月末,长鑫存储长期资产购置及建设承诺金额达524.44亿元,较2025年末增长206.2%。2026上半年公司厂房、设备购建现金支出约215.94亿元,同比下降10.5%;但为引进新设备、推进工程项目,预付款项增至约39.95亿元,较2025年底激增234.4%。
长鑫现有产线建设已接近收尾,合肥一期、二期及北京生产基地工程进度均达96%~98%;公司向智能手机厂商供应新一代移动端DRAM产品,并持续与核心客户洽谈长期供货协议。
长鑫存储于2026年7月登陆资本市场,募集资金净额663.10亿元,其中超募资金368.10亿元。截至信息披露时点,该笔超募资金尚未动用,并已于2026年7月22日全额到账。
9月28日晚间,长鑫科技公告称,公司计划使用部分超募资金,投建DRAM技术研发项目与存储器晶圆后道测试基地二期项目。两大项目合计总投资349亿元,拟动用超募资金180亿元,约占超募资金总额近50%。该投资议案已获公司第二届董事会第六次会议审议通过,尚需股东大会表决。
公告显示,DRAM技术研发项目总投资241亿元,拟投入超募资金130亿元。项目选址合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内,建设期30个月。资金主要用于设备采购,围绕DRAM制程迭代、存储密度提升、功耗与读写性能优化开展研发。该项目属于研发类项目,不单独测算投资回报率,研发成果将直接落地于公司DRAM产品。
存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元,拟使用超募资金50亿元,实施主体为长鑫科技全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司。长鑫科技将通过增资与借款相结合的方式向子公司提供资金支持。项目落地合肥市肥西县,建设周期37个月,资金用于设备采购及安装,开展DRAM芯片测试与模组组装业务。
文章来源:芯极速
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