上海
三大存储巨头持续将产能重心转向HBM与服务器DRAM，带动移动端低功耗DRAM（LPDDR）、PC及通用服务器DDR内存价格上行。以PC端常用的DDR4 8Gb通用DRAM为例，2026年8月平均合约价同比大涨338.6%。借本轮存储行情，长鑫存储持续扩大投资签约规模与研发投入。
数据显示，截至2026年6月末，长鑫存储长期资产购置及建设承诺金额达524.44亿元，较2025年末增长206.2%。2026上半年公司厂房、设备购建现金支出约215.94亿元，同比下降10.5%；但为引进新设备、推进工程项目，预付款项增至约39.95亿元，较2025年底激增234.4%。
长鑫现有产线建设已接近收尾，合肥一期、二期及北京生产基地工程进度均达96%~98%；公司向智能手机厂商供应新一代移动端DRAM产品，并持续与核心客户洽谈长期供货协议。
长鑫存储于2026年7月登陆资本市场，募集资金净额663.10亿元，其中超募资金368.10亿元。截至信息披露时点，该笔超募资金尚未动用，并已于2026年7月22日全额到账。
9月28日晚间，长鑫科技公告称，公司计划使用部分超募资金，投建DRAM技术研发项目与存储器晶圆后道测试基地二期项目。两大项目合计总投资349亿元，拟动用超募资金180亿元，约占超募资金总额近50%。该投资议案已获公司第二届董事会第六次会议审议通过，尚需股东大会表决。
公告显示，DRAM技术研发项目总投资241亿元，拟投入超募资金130亿元。项目选址合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，建设期30个月。资金主要用于设备采购，围绕DRAM制程迭代、存储密度提升、功耗与读写性能优化开展研发。该项目属于研发类项目，不单独测算投资回报率，研发成果将直接落地于公司DRAM产品。
存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，拟使用超募资金50亿元，实施主体为长鑫科技全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司。长鑫科技将通过增资与借款相结合的方式向子公司提供资金支持。项目落地合肥市肥西县，建设周期37个月，资金用于设备采购及安装，开展DRAM芯片测试与模组组装业务。
文章来源：芯极速
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