北京
国家知识产权局信息显示，苏州宽温电子科技有限公司申请一项名为“ROM电路特征库数据的生成方法及电子设备”的专利，公开号CN122819108A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及ROM技术领域，提供了一种ROM电路特征库数据的生成方法及电子设备，包括：获取目标ROM电路的存储数据特征、架构形状特征、电路阈值特征，存储数据特征包括romcode中0的个数，架构形状特征包括地址行数、每地址输出位数、列多路选择器比例、存储体分块数，电路阈值特征包括位线上拉PMOS管阈值电压和列选择NMOS管阈值电压；基于架构形状特征和电路阈值特征调用对应的预测模型，预测模型是选取多组架构形状特征和电路阈值特征相同但存0单元占比不同的ROM电路样本训练得到的；将存储数据特征输入预测模型，得到读0传播延时数据，生成对应的特征库数据。以解决生成ROM电路特征库数据准确性不足的问题。
天眼查资料显示，苏州宽温电子科技有限公司，成立于2013年，位于苏州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5255.0333万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州宽温电子科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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