北京
国家知识产权局信息显示，拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司申请一项名为“一种上卡盘结构及应用其的晶圆键合装置”的专利，公开号CN122825785A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种上卡盘结构及应用其的晶圆键合装置，上卡盘结构包括卡盘本体与真空控制组件。卡盘本体设有用于吸附上晶圆的凹面吸附面，其吸附区域划分有多个相互气密隔离的真空吸附单元，各单元分别连通独立真空气道；真空控制组件与各真空气道相接，可独立调控每个真空吸附单元的真空状态。针对现有上卡盘难以兼顾间隙均一化与独立调控的问题，本发明通过凹面均化全域间隙，配合多单元独立调控修正局部偏差，有效提升键合波传播均匀性，减少边缘空洞、翘曲等工艺残差，适用于高精度晶圆键合工艺。
天眼查资料显示，拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，成立于2020年，位于嘉兴市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1511.4245万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息127条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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