北京
国家知识产权局信息显示，辽宁汉京半导体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅材质半导体表面镀膜质量检测方法”的专利，公开号CN122814460A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅材质半导体表面镀膜质量检测方法，涉及镀膜质检技术领域，包括：采集暗场散射图像，确定疑似颗粒坐标，建立多轴力转换关系并获取局部力学基准；在安全载荷内建立法向预载荷，沿两个正交方向施加正反向微扰，计算响应不对称量和等效偏心力矩；根据偏移响应关系生成位置修正向量并迭代调整探针位置，确定等效受力中心；在等效受力中心执行加载、保载、卸载和横向微扰，获得机械响应参数；将机械响应参数与局部力学基准比较，判定颗粒附着状态或膜层界面缺陷，生成镀膜质量检测结果。本发明实现了多轴微力探针与疑似颗粒等效受力中心的对中，减小偏心接触对机械响应参数的干扰，实现了颗粒附着状态与膜层界面缺陷的区分。
天眼查资料显示，辽宁汉京半导体材料有限公司，成立于2022年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本26250.000078万人民币。通过天眼查大数据分析，辽宁汉京半导体材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可66个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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