北京
国家知识产权局信息显示，苏州浩晶真空半导体设备有限公司申请一项名为“一种电阻法碳化硅单晶生长设备”的专利，公开号CN122791478A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种电阻法碳化硅单晶生长设备，包括坩埚，坩埚外侧壁设有电阻加热层，电阻加热层内设有电阻监测探针，电阻加热层外侧壁设有基础层，基础层外侧壁设有保温层，本发明通过设置多个沿坩埚轴向排列的独立石墨层配合独立控制模块，可分别调节各加热区的功率，实现坩埚内轴向温度梯度的精确调控，满足晶体生长不同阶段对温场的差异化需求，显著提高晶体质量，石墨电阻探针的电阻值随温度变化而发生规律性改变，通过实时监测探针电阻，可间接获取生长区域的温度信息及原料消耗状态，为工艺优化提供数据支撑，避免了传统外部测温的延迟和误差。
天眼查资料显示，苏州浩晶真空半导体设备有限公司，成立于2026年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州浩晶真空半导体设备有限公司专利信息1条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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