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由于人工智能领域的需求，存储器价格已达到历史新高，而且短期内不会回落。事实上，据 Kurnal Insights 的观察，按面积计算，存储器芯片的制造成本可能高于采用台积电 N2 和 N3 工艺制造的硅芯片的价格，而这两种工艺通常用于制造计算芯片。虽然这种比较有一定道理，但其中存在一个重要的前提条件。
根据媒体泄露的信息，Kurnal Insights 的 Kurnal 认为，采用台积电 N3 工艺加工的 300 毫米晶圆成本为 2 万美元，按晶圆价格除以面积计算，约为每平方毫米 0.283 美元。对于台积电 N2 工艺，该分析师假设晶圆价格要高得多，为 3 万美元，约为每平方毫米 0.424 美元。这些计算基于非官方信息，并未考虑晶圆边缘损耗、切割损耗、测试结构损耗、缺陷或良率等因素，因此应将其视为晶圆面积的标称价格，而非实际可用硅片的价格。
DRAM 的计算方法有所不同。Kurnal 假设 DRAM 的价格为每 Gb 1.50 美元，然后将其乘以不同代数的位密度。1y DRAM 的位密度为 0.219 Gb/mm²，计算结果为每 mm² 0.329 美元；1z DRAM 的位密度为 0.273 Gb/mm²，计算结果为每 mm² 0.410 美元；而 1b DRAM 的位密度为 0.436 Gb/mm²，计算结果为每 mm² 0.654 美元，远高于 N2 晶圆的标称价格 0.424 美元/mm²。
这里有一个重要的区别。N2 和 N3 数值代表台积电对晶圆加工的假定价格，而 DRAM 数值则代表每平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，从而说明在假定的存储器价格下，DRAM 制造商理论上可以从给定的芯片面积中获得多少收入。
有趣的是，Kurnal Insights 预测的 1.50 美元/Gb 的价格几乎与 DDR5 eTT 内存的当前现货价格完全一致。根据 DRAMeXchange 的数据，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片的平均价格为 24.80 美元，相当于 1.55 美元/Gb。按此价格计算，密度为 0.436 Gb/mm² 的 10 亿块 DRAM 的价格约为 0.676 美元/mm²，仅比 Kurnal 预测的 0.654 美元/mm² 高出 3%。
毋庸置疑，生产DDR5内存比采用台积电N3工艺制造逻辑芯片要便宜得多。然而，由于DRAM供应短缺，内存制造商如今从芯片销售中获得的利润远高于以往。
有几个重要的注意事项使得这种比较并非完全直接。计算中并未考虑封装成本，而逻辑芯片的封装需要更昂贵的技术。此外，台积电以代工方式生产芯片，加工后的晶圆实际价格取决于产量、客户和其他商业条款。因此，将台积电的晶圆预估价格与DRAM现货价格进行比较并不完全公平。即使是TrendForce也指出，DDR5现货采购仍然有限，交易也较为零星，这意味着现货价格并不一定反映美光、三星和SK海力士等厂商销售其大部分DRAM的实际价格。
因此，以DRAM合约价格作为经济上更有意义的比较基准会更加合理。然而，我们并不了解合约价格，而且虽然合约价格显然高于历史内存价格，但可能不及现货价格。因此，我们无法断言DRAM厂商的晶圆售价一定高于台积电的逻辑晶圆售价。
（来源：编译自tomshardware）
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