北京
按单位面积计，存储芯片已比计算芯片更贵——AI需求推动DRAM裸片价值超过先进工艺硅片
受 AI 需求推动，存储价格正处于历史高位，而且短期内不会回落。按单位面积计算，存储芯片甚至可以比台积电 N2、N3 工艺加工后的硅片更贵，这两种工艺用于制造计算芯片。上述观察来自 Kurnal Insights。比较有其依据，但也有一个重要限制。
三星 DDR5 内存模组。图片来源：三星
名义上的单位面积价格
根据媒体泄露的信息，分析人士 Kurnal（Kurnal Insights）把采用台积电 N3 工艺加工的 300 毫米晶圆按 20,000 美元计价。以晶圆价格除以面积，约合 0.283 美元/mm²。N2 的假定价格高得多，一片晶圆为 30,000 美元，约合 0.424 美元/mm²。这些计算依据的是非正式信息，没有计入晶圆边缘无法利用的区域、划片损耗、测试结构、缺陷和良率，因此只代表名义上的单位面积晶圆价格，还不是可用硅片的实际价格。
DRAM折算的是销售价值
DRAM 要按另一套方法计算。Kurnal 先把 DRAM 售价假定为 1.50 美元/Gb，再乘以各代产品的比特密度。1y DRAM 的密度为 0.219 Gb/mm²，单位面积价值为 0.329 美元/mm²；1z DRAM 的密度为 0.273 Gb/mm²，单位面积价值为 0.410 美元/mm²；1b DRAM 的密度为 0.436 Gb/mm²，单位面积价值为0.654美元/mm²，明显高于N2晶圆0.424美元/mm²的名义价格。
单位面积价格对比（美元 /mm²）。假定台积电 N3 晶圆每片 20,000 美元、N2 晶圆每片 30,000 美元，DRAM 为 1.50 美元/Gb。图中注明，上述数值是按假定条件做的单位面积换算，未计入良率、划片损耗、封装、测试和利润。
N2 与 N3 的数字，是假定台积电加工一片晶圆所收取的费用。DRAM 的数字，则是一平方毫米硅片中所含存储容量在假定售价下的潜在销售价值，也就是存储厂商理论上能从给定的裸片面积取得的销售收入。
与DDR5现货几乎处在同一水平
Kurnal Insights 采用的 1.50 美元/Gb，与当前 DDR5 eTT 现货价格几乎完全一致。据 DRAMeXchange 数据，9 月 21 日，16 Gb DDR5 eTT 颗粒的时段均价为 24.80 美元，折合 1.55 美元/Gb。按这一价格、以 0.436 Gb/mm² 的密度计算，1b DRAM 的单位面积价值约为 0.676 美元/mm²，仅比 Kurnal 估算的 0.654 美元/mm² 高出 3%。
生产 DDR5 的成本，仍然明显低于采用台积电 N3 工艺制造逻辑芯片。不过在 DRAM 供应紧张的情况下，存储厂商从这些硅片上获得的收入，已经显著高于历史水平。
合约价才更有比较意义
还有几项重要限制，这项比较因此没有那么直接。上述计算没有计入封装成本，逻辑芯片所需要的封装手段更为昂贵。台积电按合约代工，加工后晶圆的实际价格取决于订单规模、客户以及其他商务条件。估算的台积电晶圆价格与 DRAM 现货价格口径并不一致，难以直接对照。集邦咨询（TrendForce）指出，DDR5 现货采购仍然有限，成交较为零星，现货价格不一定反映美光、三星和 SK 海力士销售大部分 DRAM 时的价格。
要做经济上更有意义的比较， DRAM 合约价格会是明显更合适的基准。不过，目前并不掌握合约价格。合约价明显高于历史上的存储价格，但未必有现货价格那么高。因此，还不能断定存储厂商从晶圆上获得的收入，已经超过台积电从逻辑晶圆上获得的收入。
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