北京
国家知识产权局信息显示，深圳市永源微电子科技有限公司申请一项名为“一种低导通电阻的功率MOSFET结构的制造工艺”的专利，公开号CN122803311A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低导通电阻的功率MOSFET结构的制造工艺，涉及半导体加工技术领域，该装置工艺，通过优化接触孔形式和内部钨插塞安装工艺，通过将传统普通直孔接触孔升级为阶梯式结构，下段深入source区、上段连接源极金属层，增大接触面积、缩短电流传输路径，在钨插塞与硅材料之间引入“TiN+TaC”复合阻挡层，同时通过掺杂改性优化，进一步提升结合力、热稳定性和扩散抑制能力，整体导通电阻大幅下降，同时沟槽栅采用部队称紧凑布局，能够将原本集中在主沟槽底部及侧壁的电场峰值转移至辅助沟槽区域，避免栅氧化层被击穿，并且通过优化晶圆薄化工艺，有效提升良品率。
天眼查资料显示，深圳市永源微电子科技有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1878.787878万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市永源微电子科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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