北京
国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器的制造方法”的专利，公开号CN122803407A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种背照式图像传感器的制造方法，包含：步骤1，提供一半导体结构，其包含若干硅通孔，用于连通其底部下方的金属填充层，所述硅通孔的底部、侧壁及顶角上表面均依次沉积有第一介质层、第二介质层；步骤2，采用第一刻蚀气体，刻蚀去除所述硅通孔底部的第二介质层，暴露出所述硅通孔底部的第一介质层，且至少部分保留所述硅通孔侧壁及顶角上表面的第二介质层；步骤3，采用第二刻蚀气体，以保留的第二介质层为掩膜，刻蚀去除所述硅通孔底部的第一介质层，暴露出所述金属填充层；步骤4，采用第一刻蚀气体，刻蚀去除所述保留的第二介质层。本发明的方法在实现打开硅通孔底部的同时不损耗孔口介质层，避免了孔口电子穿透风险，且工艺窗口较宽。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目22次，专利信息188条，此外企业还拥有行政许可112个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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