北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN122803373A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构的制作方法通过先形成第一西格玛槽、在第一西格玛槽内壁形成保护层、再于第一西格玛槽下方刻蚀形成第二西格玛槽，从而在形成第二西格玛槽的过程完全不破坏、不改变第一西格玛槽的既有形貌，从而形成双西格玛轮廓的沟槽，以使形成的外延结构具有清晰的双西格玛轮廓，具有上下两对西格玛尖角，能够为栅极结构下方的沟道区提供应力，从而提升沟道区的载流子迁移率。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本223464.5597万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目656次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1834条，此外企业还拥有行政许可35个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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