北京
国家知识产权局信息显示，联合光科（上海）技术有限公司申请一项名为“一种用于薄片深度刻蚀的光刻喷砂方法”的专利，公开号CN122787896A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于薄片深度刻蚀的光刻喷砂方法，包括以下步骤：S1、对目标薄片进行清洗干燥；S2、在目标薄片的喷砂面涂装或压制光刻胶层；S3、通过曝光、显影在目标薄片的喷砂面的光刻胶层上形成光刻胶保护区，暴露需要喷砂刻蚀的区域；S4、采用承载保护组件对目标薄片进行固定和防护，构成目标薄片集成，所述承载保护组件至少包括用于防止目标薄片外缘发生侧向钻蚀的边缘遮挡部以及用于分散喷砂冲击力的背部支撑部；本发明属于微细加工技术领域，达到的技术效果为：通过厚层干膜、特氟龙胶带边缘遮挡和刚性背板支撑的协同保护机制，解决了深度刻蚀中掩膜边缘侧向钻蚀和薄片应力碎裂的难题。
天眼查资料显示，联合光科（上海）技术有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1677.9118万人民币。通过天眼查大数据分析，联合光科（上海）技术有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目72次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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