北京
国家知识产权局信息显示，深圳市永源微电子科技有限公司申请一项名为“一种具有高bvdss的MOSFET制造工艺”的专利，公开号CN122803316A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有高bvdss的MOSFET制造工艺，涉及半导体加工技术领域，该工艺采用四段式梯度外延层结构，由衬底侧高掺杂过渡薄层、中间低掺杂核心耐压厚层、栅极侧中掺杂衔接薄层组成，并在核心耐压层边缘设置N型浅掺杂凹槽，通过厚度与掺杂的动态梯度分布拓宽耗尽区扩展空间、分散边缘电场集中，在大幅提升BVdss的同时，降低外延层整体电阻，缓解传统均匀外延耐压提升与导通电阻增大的固有矛盾，并且在核心耐压层与栅极衔接层之间引入可调节式分层P型过渡层，可通过离子注入实现工艺批次间的耗尽区精准校准，又能在高温工况下自适应补偿耗尽区形态偏移，使器件BVdss在全温区、全电压范围内更稳定，避免后部电场尖峰导致的提前击穿。
天眼查资料显示，深圳市永源微电子科技有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1878.787878万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市永源微电子科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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