7 年、9 轮融资、35 家机构：昕原半导体的 ReRAM 长跑

最近在关注存算一体这个领域，看到了昕原半导体，有点意思，值得研究研究。 2026 年 7 月，上海临港这家芯片公司的工商变更登记显示，红杉中国等一批机构集体入场，注册资本增至 6501.35 万元。据张通社与企查查的口径，这家成立不到七年的公司至此走完了约 9 轮融资、35 家机构参与其中的历程，名单里有字节跳动、蚂蚁集团、红杉中国、云锋基金，还有沙特阿美旗下的 Prosperity7。

昕原半导体做的是阻变存储器（ReRAM），一种被认为可能接替 DRAM 和 NAND 的下一代存储介质。公司既卖 ReRAM 存储颗粒与嵌入式存储 IP，也卖把权重直接留在存储阵列里算的 AI 加速芯片（存算一体），口径上称自己是大陆唯一实现 28/22nm 先进制程 ReRAM 量产的企业。

ReRAM 的存储单元是“金属——氧化物——金属”的三明治结构。两层电极之间夹一层绝缘的氧化物（常见的是氧化铪），两端加上足够高的电压，介质层里会生长出一条纳米级导电细丝，通常由氧空位组成，把两个电极连通，单元从高阻态跳到低阻态，这个动作叫 set；反向加压，细丝断开，回到高阻态，叫 reset。电阻高还是低，就是它存下的那一位；断电后电阻状态依然保持，所以它是非易失的。相变存储（PCM）、磁性存储（MRAM）与它同属把数据存进材料本身属性的新型存储家族，ReRAM 用的那个属性是电阻。

放进现有的存储梯队里比较，ReRAM 的长处明显：

• 读写速度可达纳秒级、接近 DRAM；耐久性通常在 10⁶ 到 10⁹ 次写入之间，远高于 NAND 闪存的 10³ 到 10⁵ 次；

• 工作电压低，写入与静态功耗都小；

• 结构只有两个端子加一层氧化物，单元可以做得很小，也适合做交叉阵列（cross-point）与三维堆叠；

• 它能用代工厂的常规材料在成熟制程上制造，与 CMOS 工艺兼容，便于嵌入式集成。对 AI 来说，这一点尤其有用：ReRAM 的电阻可以连续调节，一条交叉阵列能在一步里算完一次矩阵向量乘——欧姆定律管乘法、基尔霍夫定律管加法——这正是存算一体需要的物理基础。

代价和短板同样清楚。

最难的一关是一致性——导电细丝的形成带有随机性，同一颗芯片上不同单元之间（器件间差异）、同一个单元不同次写入之间（循环间差异）参数都会漂移，直接压住良率与可靠性；

精度敏感的科学计算对这类波动尤其不能容忍，而用写后校验去弥补，又会把成本和功耗抬回去，抵消掉 ReRAM 的好处。交叉阵列里的潜行电流又是一道坎，需要额外的选择器件来隔离，工艺复杂度随之上升。

软件这一层更薄。DRAM、NAND 有几十年的工艺世代和标准体系，ReRAM 缺统一的工艺平台，也缺成熟的编译器与算子库，实际可用算力要打折扣。剩下的还有高温下数据保持性下降、氧化铪等新材料进入 CMOS 产线带来的污染风险。这些短板都集中在工程一致性上，也解释了为什么这个赛道至今没有跑出一家规模化的龙头。

从产业进度看，ReRAM 已经走过技术可行性验证的阶段，正处在规模化商用的早期。代工侧，台积电已向客户开放 28nm 及以上节点的氧空位型 RRAM 商用工艺，三星覆盖 8nm 到 28nm 的多节点嵌入式 RRAM 与 MRAM 并进入商用供应；产品侧，英飞凌、新唐已推出集成自研 RRAM 的 MCU，英飞凌披露其 RRAM 在 175℃ 下数据保持超过 1000 小时、读取延迟约 15.2 纳秒，富士通则继续供应 4Mbit 到 12Mbit 的独立 ReRAM 器件，面向工业与医疗等低功耗场景（据今日头条行业报道、Global Growth Insights）。曾经与它并列的相变存储（PCM），已经基本退出先进制程的竞争，目前没有厂商在 14nm 及以下 FinFET 节点布局。

市场上有一条更现实的路径。先做嵌入式，替掉 28nm 以下节点上撞到物理极限的嵌入式闪存（eFlash），进 MCU、物联网、工业与车规 SoC。据 Global Growth Insights 估算，嵌入式 ReRAM 占整个 ReRAM 市场约 55% 到 60%；整个 ReRAM 市场 2026 年约 10.95 亿美元、预计 2035 年增至 44.76 亿美元，年复合增速约 17%——与 DRAM、NAND 的万亿级体量相比仍是早期小众。被寄望最多的增量在存算一体：AI 推理需要把权重留在存储阵列里直接参与计算，这是 ReRAM 区别于其他新型存储的地方，也是它想象空间最大的部分。这条路上，数字存算与模拟存算还没分出胜负——模拟路线能效更高，却受制于器件非线性与噪声；数字路线精度更友好，代价是面积与功耗。

看清了这门技术的位置，再回头看昕原半导体，它的很多选择就顺理成章。

昕原的特别之处在起点。2019 年它在上海临港成立时，股东名单里就站着两个关键名字：美国的 Crossbar 和上海联和投资有限公司。据深圳技术大学人工智能学院发布的招聘信息，昕原“由 Crossbar 和上海联和投资有限公司投资”。Crossbar 是全球押注 ReRAM 的代表公司之一，技术谱系可追溯到惠普实验室 2008 年前后在忆阻器上的工作；中芯国际早在 2016 年就和 Crossbar 签下 40nm 代工协议，让 ReRAM 第一次进入产线。联和是上海国资委旗下的平台型国资机构，重仓上海银行、联影医疗、和辉光电。技术基因与资金背书，在公司成立的第一天就同时到位。

公司成立之初做的一个决定，影响了它后面七。它选的是一条近似 IDM 的全链条模式，器件材料、工艺制程、芯片设计、IP 授权、中试量产全部自己做。这意味着持续烧钱，但换来对工艺迭代的自主掌控。2020 年 4 月天使轮，上海联和、KPCB、北极光、赛富、元禾原点入场，其中还有一家设备商 Lam Research（泛林集团）的早期入股，这在工艺尚未成熟的新公司身上并不常见。2021 年 Pre-A 轮近亿美元到账，用途写得很明确：ReRAM 商用化中试线建设和安全存储芯片投片。

2022 年是验证的一年。上半年，昕原主导建设的大陆首条 28/22nm ReRAM 12 寸中试后道生产线完成设备装机验收、工艺通线并流片成功，公司由此成为继台积电之后全球第二家在 28/22nm 实现 ReRAM 量产的公司（公司口径；全球范围内富士通、松下更早实现较成熟节点的 ReRAM 商用，更准确的表述是“大陆唯一实现先进制程 ReRAM 量产”）。同年 6 月，其 ReRAM 安全存储芯片在工业自动化企业禾川科技的产品上实现商用落地，被媒体称为“工控领域首次商用”。CTO 仇圣棻同期披露了一组硬数据：基于 28nm 工艺的 ReRAM 产品良率已超过 93%，并通过 JESD22、JESD47 等 JEDEC 可靠性标准验证（据中国证券网）。到这一步，技术、产线、良率、第一个真实客户，昕原都已经拿到。

2024 年，资本开始密集进入。3 月，字节跳动通过旗下 PICOHEART(SG) 入股昕原，媒体解读为助力其 VR/AR 头显开发——ReRAM 的密度与非易失特性契合对功耗和体积敏感的终端。此后蚂蚁集团、云锋基金、沙特阿美旗下 Prosperity7 等相继进入，股东名单里产业资本与财务资本都已齐备。

产品端，公司在官网列出三大方向：AI 存算一体 IP 及大模型加速（ATOM 系列）、系统级存储（SoM）芯片、先进制程嵌入式存储（eReRAM）；2026 年世界人工智能大会上，公司展示了存算一体 AI 加速产品，展区介绍称“相比国际主流 GPGPU 架构可实现数十倍以上的性能与能效提升”（据新浪财经，属公司口径，尚无第三方实测背书）。

把昕原放进当下的竞争截面，它所在的“存算一体+新型存储”是一条多路线并行的混战局：国内有知存、后摩、亿铸、微纳核芯、恒烁、炬芯、苹芯、芯天下等一批玩家，国际还有 d-Matrix、Mythic、Weebit Nano、Crossbar 等，介质从 SRAM、NOR Flash、ReRAM 到 DRAM 近存，几乎每个组合都有人在做。这个赛道还没有进入存量厮杀，而是处在多路线赛马、按场景切分的阶段，谁也吃不掉谁，因为各家卖的东西并不相同。

挑出五家最有可比性的对手，昕原的位置就清楚了。

知存科技走 NOR Flash 模拟存算，WTM2101 在 2022 年 1 月量产、功耗仅 5mW、累计出货超 1000 万颗、搭载华为和小米可穿戴设备（据钛媒体、长桥证券）——它是端侧低功耗的隐形冠军，已经跑通百万级出货和现金流，代价是速度和容量上不去。

后摩智能走 SRAM 存算，鸿途 H30 是国内首款存算一体智驾芯片、256TOPS、35W、通过 AEC-Q100 车规认证、2025 年量产（据钛媒体）——它赢在车规资质，代价是被锁在周期很长的车规市场。

亿铸科技和昕原用的是同一种介质 ReRAM，走全数字存算、拥抱 RISC-V、面向数据中心大算力，2023 年 7 月流片、计划 2026 年推出算力卡——它是昕原最值得对照的镜子，两家共享同一个天花板和同一套考题。谁能先把 ReRAM 大阵列的良率与软件工具链跑通。

微纳核芯则绕开介质之争，首创三维存算一体（3D-CIM）架构，并被任命为中国 RISC-V 工作委员会存算一体应用组组长单位、牵头制定相关指令集标准（据今日头条）——它选的是先修路、定标准的轻资产路径。

国际市场上，最适合用来对照估值的标的是 Weebit Nano（ASX:WBT）。它是全球唯一不依附大厂的独立 ReRAM IP 供应商，纯授权模式，客户包括 onsemi 和德州仪器（TI），但 FY2025 全年营收仅 440 万澳元（约 2000 万人民币出头），市值却在 2025 年一度达到约 50 亿至 100 亿元人民币（据公司公告、Pitt Street Research）。这说明市场愿意为独立的 ReRAM 故事支付极高的期权溢价，也说明一条路线的估值可以长期跑在收入前面。但反过来看，Weebit 至少已经把 IP 卖给了 TI，而昕原的客户名单更多停留在“头部手机厂商”“Alpha 客户”这类未具名表述上。

昕原今天的竞争位置，很大程度上是它历次决策的结果。支撑它的那条护城河——大陆唯一实现先进制程 ReRAM 量产，加上自有中试线——埋下的时间远早于 2026 年，根在 2019 年选定 IDM 全链条、2022 年砸下中试线这两步。同期不少同行选了轻资产路线，短期财务更健康，但也失去了自己掌控工艺迭代的能力。给资本信心的，是字节、蚂蚁、红杉的集体背书，而它高度依赖 2024 至 2026 年大厂密集布局芯片的窗口期，窗口一过很难复制。悬念落在另一头：七年时间、这套最重的模式、这份豪华的股东名单，公司却始终没有对外交出一张规模化收入的答卷。这也是全链条路线的代价——验证周期更长，而资本不会无限期等待。

这种“优势与短板同源”的结构，在竞品身上同样成立。知存 2017 年选最成熟的 NOR Flash，所以 2022 年就能千万颗出货，代价是被锁在端侧低功耗；后摩 2020 年选 SRAM 并在 2024 年拿出车规芯片，代价是被锁在周期很长的车规市场；亿铸和昕原几乎同时押注 ReRAM，都还没走到山顶，因为良率与软件工具链需要时间积累。同一条赛道上，没有一条路是免费午餐——每一种优势，都是用另一种可能性换来的。昕原选的是最陡的一条路，理论上的天花板最高，但能不能走完还是未知数。

落到判断，可以分三种情形看。

中性情形下，2026 至 2027 年完成量产爬坡，ATOM 在客户侧灰度、eReRAM 在手机与工控客户落地，收入开始起量，公司择机推进资本市场计划；节奏不快，但方向不改。

往坏处走，存储超级周期在 2027 年前后见顶（Bernstein、Jefferies 等机构明确警示过这一风险），叠加 ReRAM 大阵列良率或软件工具链迟迟跑不通、大客户采购节奏延后，收入兑现推迟到 2028 年之后，后进的投资人面临退出延期与估值回撤。

往好处看，ATOM 系列在头部大模型推理场景规模落地、eReRAM 全面铺开，公司成为“国产存算第一股”，享受稀缺标的的溢价——参照系是长鑫科技，2026 年 7 月 27 日科创板上市、发行市值 5792 亿元、首日市值一度 3.28 万亿元、2025 年收入 618 亿元（证券时报）。

目前整体判断是中性偏乐观。技术底子与产业背书是真的，大陆唯一实现先进制程 ReRAM 量产也经得起核对；但这门生意的验证周期长、烧钱强度大，而资本的热情往往在周期高点最盛。不过AI发展已经势不可挡，对于这个行业来说，绝对是最大利好。

“昕”是黎明的意思，昕原字面是黎明的原野。这个意象和它的处境有些贴合：ReRAM 在全球都还处在黎明，技术已经能看见光，天却没完全亮。

昕原站在中国离天亮最近的位置，手里有别人没有的中试线，也有一份足够豪华的股东名单，但也站在最需要熬的那一段时间里：良率、软件、客户、行业周期，每一样都得熬。七年时间，它把一颗被封锁逼出来的种子，养成了一棵能自己长工艺的树。决定这棵树能不能成材的，是它能不能在下一个寒冬到来之前结出果子。

TITEL 信息来源

1.昕原半导体官网（innostar-semi.com）：公司定位、三大产品方向（AI 存算一体 IP/SoM/eReRAM）、28/22nm 中试线通线、核心技术、《ReRAM：DRAM 和 NAND 的最强继任者》。

2.中国证券网（cnstock）《工控领域首次商用 昕原半导体 ReRAM 产业化进程加速》（2022-06）：禾川科技商用、CTO 仇圣棻披露 28nm 良率 >93%、JESD22/JESD47。

3.人民网上海频道（2022-08-30）：临港研发项目奠基仪式。

4.张通社《临港企业“昕原半导体”完成工商变更》（2026-07-23）：9 轮 35 家机构、注册资本增至 6501.35 万元、创始人背景。

5.雪球《科创板日报》：字节 PICOHEART 入股、蚂蚁集团入股、股东结构（2024–2025）。

6.深圳技术大学人工智能学院发布的昕原招聘信息：明确“由 Crossbar 和上海联和投资有限公司投资”。

7.钛媒体《谁在死磕，存算一体？》、长桥证券行业梳理《存算一体：噱头还是战未来》：知存、后摩、亿铸、微纳核芯路线与优劣势、国际玩家。

8.今日头条《微纳核芯推三维存算一体架构》（2026-07-20）：3D-CIM、RISC-V 存算标准组长单位。

9.Weebit Nano（ASX:WBT）公告与 Pitt Street Research 研报（2025–2026）：ReRAM IP 授权模式、TI/onsemi 客户、FY25 营收 A$4.4M、市值区间。

10.新浪财经《WAIC City Walk 探访上海 AI 创新生态》（2026-07-10）：昕原 WAIC 2026 存算产品展示（公司口径）。

11.央视新闻、证券时报《长鑫科技上市首日市值突破 3 万亿元》（2026-07-27）：长鑫科技发行市值、首日市值、2025 年收入。

12.百度百科、爱企查、36氪项目页、企查查、清科/投资界：融资历程、股东、子公司、专利。

13.Bernstein、Jefferies 等机构关于存储超级周期 2027 年前后见顶的公开风险提示（悲观情形参照）。

14.新型存储器件技术综述：AnySilicon《Ultimate Guide: Embedded Non-Volatile Memory （eNVM）》、UCL 博士论文《Investigation of ReRAM Devices for Emerging Memory and Neuromorphic Computing Applications》、ChipFoundryServices 术语库、AIChipLink《Emerging Storage Technologies: MRAM, RRAM, and PCRAM》——用于 ReRAM 导电细丝机制、set/reset、器件间与循环间差异、潜行电流与选择器件、耐久性与保持性、模拟存算原理。

15.今日头条《MRAM 和 RRAM 进入商用，PCRAM 基本出局先进制程》（2026-07）：台积电 28nm 及以上 OxRAM 商用工艺、三星 8–28nm 嵌入式 RRAM/MRAM、英飞凌与新唐 RRAM MCU、英飞凌 175℃/1000 小时保持与 15.2ns 读取延迟、PCM 退出先进制程。

16.Global Growth Insights《Top 12 ReRAM Companies in Global 2026》：2026 年 ReRAM 市场约 10.95 亿美元、2035 年约 44.76 亿美元、年复合增速约 17%，嵌入式占比 55–60%，区域份额与全球厂商名单（含 InnoStar）。

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