北京
IT时代网9月20日消息，AI 带动的内存涨价正在向更冷门的品类外溢。NOR 闪存与单层单元（SLC）NAND 的产能被挪去生产利润更高的产品，供给缺口开始威胁到日常电子产品。
市场关注度一直集中在 HBM 与 DRAM 上，前者供应 AI 加速器，后者连同大容量 NAND 被快速扩张的数据中心大量吸收。有报告显示，过去一年内存价格整体上涨超过六倍，打破了过去几十年里产量越大价格越低的规律。
价格变化已经落到合约端。有市场研究机构统计，2026 年上半年 NOR 闪存与 SLC NAND 的合约价涨幅均超过 100%，并预计下半年 SLC NAND 价格还将再涨 120% 至 170%。该机构判断 NOR 闪存在 2026 年全年都将处于供给不足状态。
这两类芯片并不起眼，却很难替换。NOR 闪存通常用于存放启动与程序代码，是汽车、工业与网络设备的组成部分；SLC NAND 则凭借可靠性与耐久度，被用于生命周期较长的嵌入式硬件。
供给紧张的原因并不复杂。英伟达、博通、Marvell 等公司为 AI 芯片争夺大量晶圆产能，出价更高的客户自然排到前面，NOR 闪存与 SLC NAND 厂商拿不到足够晶圆，只能提高报价。有研究机构测算，同样一片 12 英寸晶圆用于主流 NAND 可创造接近 2 万美元收入，用于生产 SLC 则只有 6000 至 8000 美元。
主要 NAND 厂商已在削减 SLC 的晶圆投入。中小型 SLC 供应商即便想扩产也不容易，部分半导体制造设备的交期已经拉长到 12 至 15 个月。有厂商提出用串行 SLC NAND 替代 NOR 闪存，但把现有工业或网络产品换到另一颗芯片上，本身就需要重新做工程改造与认证。
在需求不足以支撑新建工厂、现有供给又持续收缩的情况下，这一缺口短期内缺少解法。有分析师预计未来五年内存价格都将维持高位，回到 2023 或 2024 年水平的可能性不大。
编辑：林一舟
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