国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体制造装置”的专利,公开号CN122773320A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体制造装置,能够抑制排气气体中包含的不需要的生成物的逆流。半导体制造装置具备:配管,其供来自处理室的排气气体沿第一方向流动;和多个捕集器,其在第一方向上空开间隔地设置于配管的内周面。多个捕集器各自具有:凹部,其设置于内周面,从内周面朝向配管的外侧凹陷;和遮挡面,其沿着与第一方向交叉的第二方向从凹部的边缘向配管内延伸。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.