北京
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制作方法”的专利，公开号CN122784233A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管包括外延层、多个N电极、多个P电极、互联层、绝缘层和多个焊盘；所述多个N电极和所述多个P电极均与所述外延层电连接；所述互联层位于所述外延层的表面，且包括与所述多个N电极电连接的第一互联结构和与所述多个P电极电连接的第二互联结构；所述绝缘层位于所述互联层远离所述外延层的表面，且具有多个间隔的过孔，一部分所述焊盘穿过多个所述过孔与所述第二互联结构电连接，与所述第二互联结构相连的每个所述焊盘的中部和靠近第一边缘处分别具有至少一个所述过孔，第一边缘为所在的所述焊盘朝向与所述第二互联结构的相连的另一个所述焊盘的边缘。本公开可以改善EOS性能。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目54次，专利信息1107条，此外企业还拥有行政许可45个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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