北京
分享至
国家知识产权局信息显示，华邦电子股份有限公司申请一项名为“半导体存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN122784080A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体存储器结构及其形成方法，半导体存储器结构包括基底、第一字线、第二字线以及位线结构。第一字线以及第二字线埋置于基底中。位线结构从第一字线以及第二字线之间的基底中延伸至基底上。位线结构包括第一导电层、氮化钛硅层以及第二导电层。氮化钛硅层位于第一导电层上。氮化钛硅层包括下部以及上部。下部的硅原子百分比大于上部的硅原子百分比。第二导电层位于氮化钛硅层上。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
