北京
国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种GaN功率器件结构及制作方法”的专利，公开号CN122784124A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种GaN功率器件结构及制作方法，包括：提供衬底；在衬底的表面上依次形成缓冲层、沟道层和势垒层，缓冲层包括第一AlGaN层，且在沿远离衬底的方向上，缓冲层包括多个依次叠设的子缓冲层，各子缓冲层的Al含量依次梯度减小，Ga含量依次梯度增大；其中，在每个子缓冲层形成后，都使用第一气体的等离子体中含有的氢自由基和氮自由基，对子缓冲层的表面进行第一处理，以选择性还原子缓冲层表面上的原生氧化物，并进行原位氮化；第一气体包括含氮氢气体和第一含氮气体，含氮氢气体与第一含氮气体的流量比小于0.5。本申请能够减少界面缺陷，提高膜层质量，有利于改善器件电学性能。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息309条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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