北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种测量膜层介电常数的方法”的专利，公开号CN122754601A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种测量膜层介电常数的方法，该测量膜层介电常数的方法包括以下步骤：提供一批上表面形成有样品膜层的样品晶圆，测量各样品膜层的介电常数；提供一测量仪，分别通过测量仪测量各样品膜层折射率及消光系数，并测量样品膜层的厚度；基于各样品膜层的折射率、消光系数和介电常数数值，拟合得到介电常数与折射率及消光系数之间的关系；提供一上表面形成有与样品膜层组分相同的待测膜层的待测晶圆，并利用测量仪测量待测膜层的折射率和消光系数；基于拟合得到的关系得到待测膜层的介电常数。本发明通过批量样品膜层的介电常数、折射率及消光系数拟合得到相关关系，并基于相关关系测量待测膜层的介电常数，避免了晶圆的污染。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1142条，此外企业还拥有行政许可57个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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