北京
国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种半导体硅片备制用进气管结构、生长炉”的专利，授权公告号CN224754579U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体硅片备制用进气管结构、生长炉，包括第一管体和第二管体形成具有环形间隙腔的组合体、以及与所述组合体中的第二管体连接的第三管体；其中，所述环形间隙腔远离所述第三管体的一端为封闭结构。本申请一种半导体硅片备制用进气管结构，通过双层同轴结构设计，可有效分散热应力，增强结构强度，减少断裂风险；径向孔实现压力平衡与气流缓冲，提升热传递效率；整体结构显著延长进气管使用寿命，降低维护频率，提高半导体生产连续性与产品良率。
天眼查资料显示，中环领先半导体科技股份有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本539356.0021万人民币。通过天眼查大数据分析，中环领先半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目347次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息1246条，此外企业还拥有行政许可367个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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