中微公司取得等离子体处理装置相关专利，等离子体刻蚀中磁场调控带电粒子优化刻蚀效果

来源：新浪证券-红岸工作室

9月15日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种等离子体处理装置及其刻蚀方法”的专利，授权公告号CN120020996B，授权公告日为2026年9月11日。申请公布号为CN120020996A，申请号为CN202311554432.2，申请公布日期为2026年9月11日，申请日期为2023年11月20日，发明人黄振华、陈超、邓璟雯、饶建成，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师南慧荣、徐雯琼，分类号H01J37/32、H10P50/20。

专利摘要显示，本发明公开了一种等离子体处理装置及其刻蚀方法，该等离子体处理装置包含一真空反应腔，所述真空反应腔内包含：下电极，其包含用于承载基片的承载面；上电极，其与下电极相对设置，所述上电极具有向腔内引入工艺气体的气体喷淋头，上电极与下电极之间形成反应区域；磁场元件，其环绕反应区域设置，所述磁场元件被配置为产生磁场以调节反应区域中的带电粒子，其中，所述磁场包含垂直于承载面的磁场和倾斜于气体喷淋头的下表面的发散性磁场。其优点是：该装置在特定时刻通过磁场元件调节反应区域中的带电粒子的分布和运动方向，可实现对工艺过程的精确控制，有助于获得理想的刻蚀形貌，同时还可在不提高功率峰值的情况下提升刻蚀凹陷结构的能力。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本95784.2348万人民币，实缴资本95784.2348万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目92次，财产线索方面有商标信息132条，专利信息1748条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3一种基座组件及薄膜沉积设备实用新型CN202521898721.92025-09-03CN224728610U2026-09-08徐立、陈佳波、吕术亮4晶圆托盘外观专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇5一种下电极组件及半导体处理设备实用新型授权CN202521735715.12025-08-14CN224625542U2026-08-11李林、周艳、范光伟、张一川、叶如彬、唐观扬、左涛涛、郭二飞、杨宽6聚焦环外观专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳7聚焦环外观专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳8聚焦环外观专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳9一种气体喷淋头实用新型授权CN202521687595.22025-08-08CN224732740U2026-09-08周艳、李开元10气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元11气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成12气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元13接地环外观专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元14物理气相沉积设备及其磁控管调整机构实用新型授权CN202521450528.92025-07-10CN224494308U2026-07-14马化韬、刘学滨、王能语15等离子体刻蚀设备实用新型授权CN202521333084.02025-06-26CN224625541U2026-08-11叶如彬、田宁、孟可、马越、范光伟16一种供气系统及半导体处理装置实用新型授权CN202521318120.62025-06-25CN224494325U2026-07-14刘进、徐灿阳、许灿、沈成绪、杨闰清17气体输送管道及半导体处理装置实用新型授权CN202521194367.12025-06-11CN224516526U2026-07-17梁锟、王海涛18一种气相沉积装置实用新型授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊19一种聚焦环功率调节组件实用新型授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟20一种等离子体处理装置及其约束环组件实用新型授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁21一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置实用新型授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远22一种金属钛层的沉积工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿23反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强24基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开25基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开26环组件及外延生长设备实用新型授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开27一种下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可28一种半导体处理设备及其气体喷淋头实用新型授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子29电磁线圈组件及半导体加工设备实用新型授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥30一种磁控管组件及磁控溅射设备实用新型授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语31一种基片处理系统实用新型授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星32一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅33一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳34下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟35一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海36掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海37一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙38开盖机构、半导体设备及开腔方法发明专利公布CN202510280972.92025-03-10CN122729021A2026-09-11王世成、吴狄、连增迪、李兆晟39等离子体约束结构及等离子体处理设备实用新型授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟40一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟41一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟42一种等离子体处理设备及移动屏蔽环加热方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510151851.42025-02-11CN122552414A2026-08-11周艳、朱永成、李开元43一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强44一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强45一种在零部件表面形成氟化层的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510142706.X2025-02-08CN122543001A2026-08-11付海涛、王晓明、董维、吕术亮、李远46一种等离子体处理设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510134207.62025-02-06CN122532094A2026-08-07田宁、周子琛、张辉47一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫48一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮49一种钨的填充方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510116725.52025-01-23CN122458769A2026-07-24谢忠帅、吕术亮、徐立、李远、王晓明50一种约束环组件、等离子体处理装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510104160.92025-01-22CN122455619A2026-07-24田宁、叶如彬