河北
来源：市场资讯
（来源：超能网）
近日三星宣布扩大与ASML（阿斯麦）的长期战略合作关系，深化在High-NA EUV光刻和先进半导体制造技术方面的合作，推动AI时代的下一代创新，计划2028年首次引入High-NA EUV光刻技术，用于DRAM芯片制造。台积电（TSMC）也宣布与ASML展开合作，推动行业转移升级至向更大尺寸的High-NA EUV光罩/掩膜，从6英寸转移至12英寸，打算2030年起，在逻辑芯片制造中引入High-NA EUV光刻技术。
据TrendForce报道，2028年或许将成为DRAM制造商的里程碑时刻，SK海力士也打算与三星同一年引入High-NA EUV技术，用于DRAM芯片生产。其提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。同时还能避免多重曝光，减少生产步骤，提高生产效率。
SK海力士在2021年首次采用EUV技术，用于1αnm（第四代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，随后逐步扩大应用范围。目前SK海力士已经推进到1cnm（第六代10nm级别）工艺，正在加速转型，为HBM4E量产做好准备。2026年第二季度1cnm工艺约占SK海力士DRAM产能的13%，到第四季度将再到34%。预计到2027年第一季度，1cnm将首次超越1bnm，成为SK海力士第一大DRAM工艺。
三大原厂之一的美光去年首次推出基于第六代10nm级别1γ（1-gamma）工艺的产品，属于16Gb DDR5 DRAM，也是其首次将EUV技术应用于DRAM量产中。美光曾表示，计划在第七代10nm级别1δ（1-delta）工艺上导入最新一代的EUV光刻设备，不过一直没有落实时间表。
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