存储涨价潮下收入仅增1.83%，深科技为何砸18.5亿扩产封测？

深科技（000021.SZ）在存储行业景气高位加码先进封装。9月9日晚，公司公告全资子公司沛顿科技（深圳）有限公司（下称“深圳沛顿”）拟实施高端存储芯片封测产能扩充项目，计划总投资18.5亿元，其中12.2亿元用于新设子公司建设新厂房，6.3亿元用于建设2.5D/3DS先进封装研发线，两个子项目均计划2028年12月建成。

与A股存储板块的高景气形成对照的是，深科技并未充分分享本轮涨价红利。2026年半年报显示，公司上半年实现营业收入82.78亿元，同比增长6.96%；归母净利润为5.43亿元，同比增长20.28%。分产品看，存储半导体业务收入为21.38亿元，同比仅增长1.83%。公司第一大收入来源实为高端制造业务，上半年占比达57.05%，存储半导体占比25.83%。

一边是AI驱动先进封装需求爆发、公司急于突破产能瓶颈；一边是主业增长平缓、新增产能要到两年零三个月后才能落地。在典型的强周期行业里，这段时滞如何计价，成为这笔投资的关键变量。

18.5亿元扩产，指向2.5D/3D先进封装

根据公告，本次扩产由深圳沛顿实施。深圳沛顿成立于2004年，注册资本17.48亿元，主营高端存储芯片（DRAM、NAND Flash）封装和测试服务。

扩产项目总投资18.5亿元，分为两部分。其一是新厂房建设项目，总投资约12.2亿元，建成后可承载传统封测9万片/月及2.5D先进封装1万片/月产能。该子项目资金中52.5%（约6.4亿元）为自筹，47.5%（约5.8亿元）通过借款或申请银行贷款解决。深科技测算预计，该项目税前投资回收期为12.01年。

其二是2.5D/3DS先进封装研发线项目，总投资约6.3亿元，建设内容为约2600平方米装修及新增购置工艺设备约52台（套），资金全部自筹。深科技公告称，该研发线建成达产后预计增加2.5D/3DS先进封装产能各100片/月；同时明确其为“战略性投资，效益主要体现在公司技术研发等方面的核心竞争力，不产生直接的经济效益”。

对于此次扩产目的，深科技表示是为“把握AI产业爆发式增长带来的先进封装发展机遇，满足战略客户的需求，突破先进封装关键核心技术和现有产能瓶颈”。

根据财报，深科技的存储半导体业务主要从事高端存储芯片的封装与测试，产品包括DRAM、NAND Flash以及嵌入式存储芯片。

不过，存储半导体并非深科技目前的核心收入来源，并且从上半年经营数据看，该公司存储业务的规模扩张并不快。中报显示，公司上半年存储半导体业务实现收入21.38亿元，同比增长1.83%，占公司总营收的25.83%，较上年同期的27.13%有所下降；该业务营业成本同比下降8.96%，毛利率为22.72%，较上年同期提升9.16个百分点，即呈现“量未明显增长、盈利显著修复”的特征。

高端制造业务是深科技主营收入的核心，该业务上半年实现收入47.22亿元，同比增长20.78%，占营业收入比重达57.05%，是半年度收入增长的引擎。此外，深科技的计量智能终端业务收入13.57亿元，同比下降19.18%，占比由上年同期的21.70%降至16.39%。换言之，若非高端制造业务增长，公司上半年营收增速将更为有限，而存储业务收入占比不升反降。

同期，A股其他存储链公司的业绩弹性明显更大。数据显示，2026年上半年，兆易创新（603986.SH）营业收入同比增长178.67%，江波龙（301308.SZ）营业收入同比增长136.26%，普冉股份（688766.SH）的营收同比增长3.36倍。相比之下，深科技6.96%的营收增速在板块内并不突出，这与封测环节的商业模式直接相关。存储封测厂商赚的是加工费，不直接持有存储芯片库存，价格暴涨的红利大部分被原厂和模组厂拿走。

周期高位扩产，两年零三个月后项目建成

深科技选择在此时扩产，逻辑指向AI带动的先进封装需求。当前AI用芯片主要采用2.5D/3D先进封装以及Chiplet异构集成方案，HBM堆叠数量提升推动中介层面积持续扩大，进一步提升对高性能封装的需求。

问题在于扩产时间与存储需求的匹配程度。按公告，本次两个子项目均计划2028年12月建成，距今约两年零三个月；新厂房项目税前投资回收期长达12.01年，而先进封装研发线本身“不产生直接的经济效益”。这意味着在未来两年多里，项目将持续占用资金、人力与管理资源，却不贡献产出。

而存储行业是典型的强周期行业。存储行业由“需求波动与供给滞后”共同驱动，价格下行通常由高景气扩产、制程放量与需求转弱叠加触发，底部修复则依赖减产、资本开支收缩及产能退出；历次深度出清均推动行业集中度提升。本轮高景气缘于2022~2023年原厂减产压低供给弹性，以及AI拉动HBM、服务器内存与企业级SSD需求。

今年下半年，存储价格的涨势已出现放缓迹象。有机构观点指出，DRAM合约价环比涨幅已从2026年一季度的93%~98%收窄至三季度的13%~30%，高盛称之为“二阶导数转负”。对于2027年，机构预期开始分化。花旗预计2027年下半年DRAM合约价首次环比下降约3%；高盛判断价格在2027年二、三季度触顶后转向小幅回落；瑞银则相对保守，认为供不应求至少持续到2028年二季度；集邦咨询（TrendForce）预计DRAM涨价周期贯穿2027年全年但涨幅收窄至个位数，NAND Flash则在2027年下半年转向宽松。

供给端同样指向2027至2028年。根据研报数据，海外主要存储原厂2026年合计资本开支将超过1200亿美元，受建厂工期等约束，多数新厂投片放量落于2027年下半年，显著产出贡献于2028年发酵；长鑫科技上海新厂、长江存储武汉三厂均规划2027年量产。届时，存储行业将迎来一波供给释放高峰，对产品价格波动的影响目前是未知的。

对深科技而言，扩产的另一重压力是现金。中报显示，上半年公司经营活动产生的现金流量净额为1.18亿元，同比下降91.90%。截至二季度末，深科技的货币资金为109.35亿元，虽然足以覆盖扩产所需资金，但公司短期借款达88.71亿元，较上年末的53.33亿元明显增加。存货35.22亿元，较上年末的24.28亿元增长，公司称主要为应对电子元器件供应紧张、应部分重要客户要求增加备货。

深科技在周期高位锁定一笔两年后才落地的产能，或是在对2028年的供需格局下注。届时AI需求能否延续、全球新增产能释放节奏如何，仍需时间检验。深科技也在公告中作出风险提示：本项目回报周期较长，若受到行业周期不利影响、存储市场进入下行阶段，设备稼动率将随之下滑，固定资产折旧将加大，企业盈利水平承压，进而导致项目投资回收期延长。