北京
来源：证券时报
阿斯麦大动作。
9月8日，在美股盘前交易中，全球光刻机巨头阿斯麦股价直线飙涨，一度大涨超4%。消息面上，阿斯麦宣布，公司与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。
与此同时，阿斯麦正式启动大规模扩产计划。据最新发布的声明，阿斯麦开始在荷兰建设第二座产业园区，最终占地面积将相当于约50个欧洲足球场，可容纳最多2万名员工。
阿斯麦最新宣布
当地时间9月8日，阿斯麦宣布，将与其主要客户合作，生产其最先进的光刻设备，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。
受此影响，阿斯麦ADR在美股盘前交易中一度涨超4%，截至收盘，涨幅回落至2.91%。
阿斯麦在公告中表示，公司与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用，具体来看：
台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；
三星电子计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产；
英特尔则表示，目前已处理了超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。
对于此次合作，三星电子回应称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。
阿斯麦即将推出的下一代High NA的EUV设备，能够打印更精细的芯片。
阿斯麦本周表示，计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相当的芯片。据了解，向新型High NA设备配备更大尺寸的掩模，将有助于推动这些设备在大规模生产中的更广泛应用。
阿斯麦还计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年实现该新技术的量产能力。
阿斯麦首席技术官Marco Pieters表示，“如果我们能成功实现这一目标，整个行业都将看到这些系统产能提升40%。”
值得一提的是，SK海力士在最新发布的声明中表示，公司正在评估是否参与该联盟，以推进12英寸掩模的引入，并指出其目标是到2028年High-NA EUV工艺应用于DRAM的大规模生产。
大规模扩产
与此同时，阿斯麦开启大规模扩产计划。据最新消息，阿斯麦开始在荷兰建设第二座产业园区，正努力响应全球AI热潮的旺盛需求。
阿斯麦周二在声明中表示，其即将在埃因霍温建设的新园区最终占地面积将相当于约50个欧洲足球场，可容纳最多2万名员工。园区一期工程将于2029年完工。
另外，三星电子的扩产计划也传来最新进展，其位于美国得克萨斯州的泰勒工厂将在本月底开始试生产，有消息称，该厂目前所有预定产量都已被预订完毕。
三星电子泰勒工厂在投产前已基本可以预见满负荷运转状态，这得益于特斯拉、博通等科技巨头的巨额订单不断涌入。据悉，三星电子正在从其国内合作伙伴处引进设备，用于建设将于2026年年底开工的第二座晶圆厂。
泰勒工厂是三星电子2纳米芯片制程的核心基地，而其投入量产也是三星电子与台积电竞争中的关键里程碑之一。
三星电子2纳米工艺的良率在今年年初时约为60%，而近期已达到80%左右。
三星电子目前负责的订单包括特斯拉的AI5芯片、博通的下一代通信半导体以及Arm的人工智能芯片。该工厂的初期产能为每月5万片，接近台积电的8万片水平。
三星电子在第二季度财报中预期，今年2纳米订单量将比去年翻一番以上，这将帮助三星电子的晶圆代工业务业绩快速提升。
泰勒二期工厂的筹备工作也在加速进行，其计划于今年年底破土动工、目标在2030年实现量产。据悉，三星电子近期已要求主要合作伙伴提前获得拟引入二期工厂的半导体生产设备的安全认证，部分合作伙伴正积极推进派遣数十名人员前往泰勒二期工厂现场参与建设的计划。
除了三星电子之外，全球领先半导体企业也在加紧推进2纳米等先进制程的部署。英特尔也在加大对2纳米制程18A和下一代1.4纳米制程14A的投资，其在上月发行了价值200亿美元的新股。
来源：券商中国
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