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英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展。当地时间9月8日，英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产，标志着英特尔正在将这项下一代光刻技术从实验室逐步推进到实际生产环境。
此次里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议期间公布的。英特尔表示，其高数值孔径EUV晶圆处理量已经超过全球其他采用该技术的芯片制造商总和，进一步巩固了公司在这项新技术上的先发优势。
高数值孔径EUV是极紫外光刻技术的下一代版本，其数值孔径从传统EUV设备的0.33提高到0.55，能够在晶圆上形成更加精细的图形，并有望减少部分复杂的多重曝光工艺。对于先进制程而言，这意味着更高的晶体管密度、更低的制造复杂度，以及进一步提升芯片性能和能效的潜力。不过，这类设备的成本和工艺要求也明显更高。
英特尔目前已经在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机，并将其用于部分Intel 18A制程的生产。公司表示，采用该技术制造的部分Panther Lake处理器层，其套刻精度、生产吞吐量和设备可用率均达到了预期水平。
值得注意的是，英特尔并不是将整个18A制程都交由高数值孔径EUV完成，而是选择部分关键层进行生产。这些层同时通过高数值孔径EUV和传统0.33数值孔径EUV设备进行验证，以便比较两种技术的制造表现。英特尔表示，采用高数值孔径EUV生产的部分18A层，其性能已经达到或超过传统EUV平台制造的对应层。
这些成果也与英特尔此前公布的Panther Lake处理器计划相呼应。Panther Lake属于英特尔Core Ultra Series 3系列，采用18A制程。英特尔通过在部分产品层引入高数值孔径EUV，能够在不完全依赖新设备的情况下，积累实际量产经验，并为未来更先进的制程做好准备。
英特尔晶圆代工部门表示，当前高数值孔径EUV已经进入量产阶段，公司正在持续优化设备设置、运行时间和制造流程。英特尔与ASML也在密切合作，以进一步提高这项技术的成熟度，并根据客户需求决定未来制程中采用高数值孔径EUV的范围。
除了晶圆处理量突破百万片之外，英特尔还在推动更大尺寸光掩模的开发。由于高数值孔径EUV设备目前使用的光掩模尺寸较小，能够一次曝光的芯片面积受到限制。对于未来面积更大的数据中心芯片和AI加速器而言，这可能成为影响生产效率的重要因素。
为了解决这一问题，英特尔已经与ASML、光掩模制造商、自动化设备供应商、EDA软件企业、材料供应商以及其他芯片制造商合作，推动6×12英寸大型光掩模的标准化和配套基础设施建设。公司表示，目前客户已经可以通过现有6英寸光掩模使用高数值孔径EUV，既可以在掩模范围内设计芯片，也可以利用拼接技术和工艺设计套件解决更大面积的制造需求。
英特尔认为，未来AI产品对先进制造技术的要求将越来越高，芯片制造不仅需要更高的性能和密度，也需要具备稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过提前推动高数值孔径EUV进入生产环境，英特尔希望为客户提供更加成熟的先进制程选择。
对于英特尔而言，这项进展的意义不仅在于光刻设备本身，更在于公司正在逐步建立高数值孔径EUV的量产经验。与传统EUV相比，高数值孔径EUV在设备成本、工艺控制、光掩模设计和生产效率方面都面临更高要求，因此，谁能够更早完成从研发到稳定生产的过渡，谁就可能在未来先进制程竞争中获得更大的优势。
不过，英特尔目前仍然只是将高数值孔径EUV应用于部分18A层，并不意味着所有先进制程都已经全面采用这项技术。未来能否扩大应用范围，还要取决于设备吞吐量、生产成本、良率以及客户对制程的实际需求。
总体来看，英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量突破100万片，标志着这项下一代光刻技术正在从早期验证阶段走向更加成熟的生产应用。随着英特尔继续推进18A及后续14A制程，高数值孔径EUV有望成为其先进制造战略中的重要组成部分。
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