北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有高k金属栅极层的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN122719170A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件，包括一鳍片结构，设置在一半导体基底上方的。该半导体元件亦包括一源极/漏极区，设置在该鳍片结构中。该半导体元件还包括一栅极结构，设置在该鳍片结构上方并延伸到该鳍片结构中。该栅极结构邻近该源极/漏极区设置。该栅极结构包括一高k(介电常数)金属栅极层以及设置在该高k金属栅极层上的一下栅极电极层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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