北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善窄节距IGBT栅极电阻一致性的方法及IGBT器件”的专利，公开号CN122699325A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善窄节距IGBT栅极电阻一致性的方法，制备所述IGBT多晶硅栅极时，包括以下步骤：在多晶沉积站点采用Double pitch方式进行多晶沉积；在多晶回刻站点与多晶沉积退火站点之间，增加超级扫描磷离子注入工艺；所述超级扫描磷元素注入根据晶圆VF测试的典型map图，对晶圆中心与边缘区域进行区域性磷元素补偿注入，调节多晶中磷元素掺杂浓度均匀性。本发明能显著提升栅极电阻片内一致性，使阻值离散小于±10%，进而降低Eon波动和并联温升差异。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2143条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目944次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7934条，此外企业还拥有行政许可465个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可234个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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