国家知识产权局信息显示,南京晶纯新材料科技有限公司申请一项名为“基于模板辅助CVD的ZnSeZnS核壳纳米阵列及其制备方法”的专利,公开号CN122687161A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本发明属于半导体纳米材料制备技术领域,公开了基于模板辅助CVD的ZnSeZnS核壳纳米阵列及其制备方法,包括:模板制备、ZnSe核阵列沉积、模板选择性去除和ZnS壳层保形沉积。本发明,解决尺寸失控问题:AAO模板约束结合精准沉积参数,使ZnSe核直径偏差控制在±1nm内,相较于电子束沉积±20%的偏差,阵列规整度大幅提升;采用柠檬酸缓冲液去除模板,刻蚀速率较NaOH降低5倍,实现模板温和去除,保障ZnSe核结构完整;分步CVD工艺结合保形沉积,使ZnS壳层覆盖率达99.5%以上,解决了溶液法包覆覆盖率不足80%的问题,有利于实际的应用与操作。
天眼查资料显示,南京晶纯新材料科技有限公司,成立于2025年,位于南京市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本625万人民币。通过天眼查大数据分析,南京晶纯新材料科技有限公司专利信息2条。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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