北京
国家知识产权局信息显示，南京晶纯新材料科技有限公司申请一项名为“基于模板辅助CVD的ZnSeZnS核壳纳米阵列及其制备方法”的专利，公开号CN122687161A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了基于模板辅助CVD的ZnSeZnS核壳纳米阵列及其制备方法，包括：模板制备、ZnSe核阵列沉积、模板选择性去除和ZnS壳层保形沉积。本发明，解决尺寸失控问题：AAO模板约束结合精准沉积参数，使ZnSe核直径偏差控制在±1nm内，相较于电子束沉积±20%的偏差，阵列规整度大幅提升；采用柠檬酸缓冲液去除模板，刻蚀速率较NaOH降低5倍，实现模板温和去除，保障ZnSe核结构完整；分步CVD工艺结合保形沉积，使ZnS壳层覆盖率达99.5%以上，解决了溶液法包覆覆盖率不足80%的问题，有利于实际的应用与操作。
天眼查资料显示，南京晶纯新材料科技有限公司，成立于2025年，位于南京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本625万人民币。通过天眼查大数据分析，南京晶纯新材料科技有限公司专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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