北京
国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种异质衬底的制备方法及异质衬底”的专利，公开号CN122699549A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质衬底的制备方法及异质衬底，制备方法包括提供第一键合结构；对压电衬底背离硅复合衬底的一侧表面进行减薄和抛光处理，得到减薄的压电衬底；于减薄的压电衬底背离硅复合衬底的一侧表面外延生长压电薄膜；减薄的压电衬底和压电薄膜为预设压电层；对预设压电层进行离子注入，形成位于预设压电层中的缺陷层；对离子注入后的结构进行热处理，以使部分预设压电层沿缺陷层被剥离，将位于硅复合衬底表面的部分预设压电层作为目标压电层；对目标压电层的背离硅复合衬底的一侧表面进行抛光处理得到异质衬底。本申请将研磨减薄、抛光、同质外延与离子束剥离与转移技术结合，实现了高均匀性厚膜POI衬底制备。
天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本44680万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目148次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息107条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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