北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN122699378A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。本发明针对硅锗异质结双极晶体管中单晶与多晶硅锗交界处应力集中，导致锗迁移并引发漏电的问题，提供一种有效释放应力的方案。方法包括：提供具有有源区和隔离区的基底；形成掩模层后，进行开口处理，使隔离区顶面低于有源区顶面，形成台阶结构；随后进行非选择性外延生长，在有源区上形成单晶硅锗层，在隔离区上形成多晶硅锗层。台阶结构使单晶与多晶的交界线向外推移至隔离区上方，释放了平面应力，从而抑制锗迁移，改善器件形貌异常，从根本上解决基极漏电及击穿电压恶化问题。该方法工艺窗口宽、兼容现有产线，显著提升器件性能与可靠性。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2143条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目944次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7934条，此外企业还拥有行政许可465个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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