IT时代网9月3日消息,Intel的1.4nm节点14A工艺进展持续超预期。CFO David Zinsner近期提到D0缺陷密度这一关键指标,称14A的顺利程度是22nm工艺以来从未有过的表现。
爆料者The Inteller给出的资料有更明确的说法:今年6月14A工艺的缺陷密度已达到D0 0.5的水平,目标是在2027年第一季度做到D0 0.1至0.2。D0密度直接决定良率——100mm²面积的小芯片上D0可近似看作良率,0.1以下意味着90%以上的良率;AI芯片面积通常在400至800mm²,D0小于0.1对应65%至75%的良率,而0.5的指标只意味着约10%的良率,尚不具备量产可行性。
对比18A工艺的进展周期,14A在进度上整体领先3至4个季度,换言之,Intel此前表态提前一年量产14A并非空谈。按此速度,14A量产无需等到2028年下半年,2028年上半年甚至第一季度都有可能。同样在等效1.4nm技术上,台积电的A14工艺定于2028年下半年量产,Intel有希望比对手提前半年甚至三个季度进入1.4nm时代。
Intel对14A寄予厚望:当前的18A工艺主要自用,14A除自用外还将重点对外提供代工服务,是争取苹果、谷歌、Meta、亚马逊等大客户订单的核心一战,再配合自家EMIB封装技术,只要技术稳定量产,订单不会缺席。
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注:本文中包含AI辅助创作的内容。
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