北京
国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“提高轻掺硼<100>晶棒BMD均匀性的拉晶方法”的专利，公开号CN122669475A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种提高掺硼<100>晶棒BMD均匀性的拉晶方法，属于掺硼直拉晶方法技术领域，包括以下步骤：在等径过程中，水平磁场位于硅溶液液面以上，保持水平磁场位于硅溶液液面中心预定距离，同时控制水平磁场的磁场强度、氩气流量、炉压、坩埚转速、晶棒转速、拉晶速度、温度曲线，通过多参数协同有效避免了传统方法中因过度依赖某一参数（如磁场强度）而引发的熔汤过冷或界面稳定性恶化等问题，使晶棒BMD密度在1E+09ea/cm³范围内分布更均匀。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息411条，此外企业还拥有行政许可27个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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