北京
国家知识产权局信息显示，南通爱德盟半导体有限公司申请一项名为“一种单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为控制方法”的专利，公开号CN122669483A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为控制方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括：提供铱衬底并进行预处理；在铱衬底上外延生长多级梯度应变超晶格缓冲层，该缓冲层由铱钨碳合金与硼碳氮化合物交替构成的超晶格周期堆叠而成，成分与应变呈连续梯度变化；在缓冲层上通过偏压增强形核工艺形成金刚石形核层；在形核层上进行单晶金刚石外延生长，生长过程中同步进行原位应力监测与参数动态调整；生长后通过高分辨率X射线衍射和拉曼光谱进行表征，本发明通过多级梯度应变超晶格缓冲层实现晶格常数的平滑过渡，有效释放晶格失配应力，抑制位错产生与延伸。
天眼查资料显示，南通爱德盟半导体有限公司，成立于2023年，位于南通市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，南通爱德盟半导体有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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