High NA EUV迈入规模量产阶段，已有10台系统投入运行

9月1日消息，在2026 年SEMICON Taiwan 先进制程科技论坛上，全球光刻机龙头ASML高级副总裁暨High NA EUV 产品管理主管Greet Storms 指出，High NA EUV（高数值孔径极紫外光）系统已加速迈入规模量产（HVM）阶段。随着全球客户光刻需求攀升，ASML通过技术优化使设备生产力达到量产标准，并为未来十年的半导体制程奠定高性价比的制程微缩蓝图。

已有10台High NA EUV系统投入运行，晶圆曝光量突破135万片

Greet Storms在演讲中首次披露了High NA EUV技术的商业化关键数据。截至目前，全球High NA EUV（EXE系列）累计曝光晶圆数已正式突破135万片，系统学习曲线与HVM准备正加速推进。

Greet Storms强调，High NA EUV 已达成关键里程碑。ASML与英特尔此前均已宣布，采用ASML EXE High NA EUV技术的Intel 18A制程，已正式量产代号为“Panther Lake”的英特尔Core Ultra第3代系列处理器。

在装机规模方面，全球已有4家客户完成装机的10台High NA EUV系统投入运作，另有3台系统正在出货与装机中。其中，经认证的EXE:5200B曝光系统已在验收测试中达到每小时135片晶圆（WPH）的吞吐量，具备支持高量产的生产力。

机台可用率提升至84%，年底目标90%

High NA EUV系统还展现了优异的稳定性。Greet Storms指出，目前全球High NA EUV机台可用率（能够用于实际生产的时间占总日历时间的百分比）已提升至84%，预计2026 年底可达90% 并朝93%目标改善。

ASML 是通过导入现有NXE 平台经验，改善诊断能力并避免重现，提升了系统运作的稳定性。与此同时，系统展现了优异的机台间套刻精度（Overlay）与对焦表现，为埃米节点的量产奠定了精度基础。

单次曝光降本增效，2D芯片设计空间获突破

Greet Storms强调，High NA EUV的核心商业价值在于以单次曝光取代多重曝光。相较于0.33 NA EUV需要多重曝光等复杂且昂贵的制程，0.55 NA 的High-NA EUV的高解析度可增加采用单次曝光的层数，直接减少光罩层数与缺陷率，同时缩短晶圆生产周期与整体成本。

更重要的是，High NA EUV为2D芯片版图带来了全新的设计空间。由于其极高的解析力与对比度，芯片设计可直接以单次曝光（Single Patterning）进行2D金属图案化，取代过去需要两层1D金属层与一层导通孔层的复杂结构。这项突破有望减少金属层总数、降低电阻与电容损耗，同时提升逻辑单元密度，为芯片设计工程师提供极大的设计弹性与性能提升空间，并有效降低先进制程的复杂度、缺陷率、循环时间与整体成本，在更小线距的微缩中兼顾制程能力与经济效益。

在DRAM微缩方面，High NA EUV的成像能力可支持未来最多5个2D DRAM制程节点的技术延伸（从1C、1D延伸至0A、0B、0C、0D）。在先进逻辑制程方面，则能从2nm一路支援至0.7nm与0.5nm节点。

对焦与拼接挑战获成熟解决方案

针对High NA半曝光视场（Half Field）的限制与对焦控制难题，ASML已提出成熟的工程解决方案。通过芯片调平演算法、对焦修正及148mm晶圆夹具设计，预期对焦容许范围可达30nm以上，维持与NXE相当的优异控制表现。

针对半视场设计需求，ASML提供了175μm拼接补偿区域（Stitching Compensation Zone）提升设计弹性，灵活应对DRAM（仅特定奇数排列芯片需拼接）与逻辑芯片的设计挑战。

十年稳定蓝图：产能目标180 WPH

展望未来，ASML已建立超过10年的稳定0.55 NA EUV技术路线图。Greet Storms表示，ASML将持续提升EXE平台产能，从EXE:5200B推进至下一代EXE:5400E，通过提升EUV光源功率（从600W逐步提升至1000W）、加快晶圆与光罩搬运速度，以及导入PEP方案，目标是在本十年结束前将验收测试产能提升至每小时180片晶圆。

ASML总结称，High NA EUV平台将结合更高解析度、单次曝光成像、持续提升的生产力与设计弹性，为全球先进半导体制程的长期微缩提供最强核心后盾，正式开启从2nm到埃米世代的半导体制造新纪元。

编辑：芯智讯-浪客剑