北京
国家知识产权局信息显示，北京时代全芯存储技术股份有限公司;北京时代全芯存储科技有限公司申请一项名为“具有隔离功能的相变存储器的下电控制方法”的专利，公开号CN122676875A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种具有隔离功能的相变存储器的下电控制方法，属于半导体集成电路领域。本发明的下电控制方法包括：隔离步骤，当开始下电时，电源管理模块向隔离单元发出隔离信号，隔离单元将控制模块发出的亚稳态信号隔离，当下电过程结束后，电源管理模块不再向隔离单元发出隔离信号；低压差线性稳压器关闭步骤：电源管理模块通过模拟接口向低压差线性稳压器发出信号，将低压差线性稳压器关闭；振荡器和带隙基准模块关闭步骤：电源管理模块通过模拟接口同时向振荡器和带隙基准模块发出信号，将振荡器和带隙基准模块关闭。通过本发明的具有隔离功能的相变存储器的下电控制方法，能够为控制模块提供合适的工作电压。
天眼查资料显示，北京时代全芯存储技术股份有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本121815.0486万人民币。通过天眼查大数据分析，北京时代全芯存储技术股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息165条，此外企业还拥有行政许可9个。
北京时代全芯存储科技有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京时代全芯存储科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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