北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种感光器件及感光器件的制造方法”的专利，公开号CN122679714A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了感光器件及感光器件的制造方法，感光器件包括：半导体衬底，半导体衬底中形成有感光结构；介质层，介质层位于所述半导体衬底之上，介质层中形成有转移晶体管的至少部分和电容结构，其中，电容结构通过对应的转移晶体管的至少部分与对应的感光结构连接。即本申请中，通过在介质层中形成电容结构，能有效增强像素饱和度，以及提升低光和高光的成像质量；并且有效减少漏电流，降低功耗；提高感光器件的满阱容量，进而提升感光器件的性能。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目239次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1899条，此外企业还拥有行政许可109个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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