北京
国家知识产权局信息显示，鑫芯半导体（湖北）有限公司申请一项名为“一种高效散热二极管整流桥”的专利，公开号CN122679899A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及一种高效散热二极管整流桥，其包括外壳、背板以及延伸至外壳外的二极管；所述外壳以及背板均设置有散热孔；还包括散热机构，用于对二极管主体进行散热；所述散热机构包括：调节组件，用于对散热孔进行调节；以及控制组件，用于给调节组件施加使其变化散热孔；调节组件用于对散热孔遮挡面积进而实现对散热量进行调节，控制组件对调节组件调节散热面积提供动力。本申请通过通过调节散热孔的面积，即可实现散热效果，但是由于外界灰尘等杂质颗粒较多，因此需要在无需散热的时候对散热口进行减小，保证基本散热间隙即可，以免杂质颗粒进入到外壳内，对二极管本体造成损伤。
天眼查资料显示，鑫芯半导体（湖北）有限公司，成立于2023年，位于十堰市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，鑫芯半导体（湖北）有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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